荻野 俊郎, 日比野 浩樹, 本間 芳和
応用物理
66
(12),
1289-1297,
1997
...ステップは,表面凹凸の最小単位であり,従来のLSI技術にあっては排除すべきものである.一方で,ステップは結晶成長や吸着の起点であり,その配列を制御できれば,ナノ構造形成とその集積化へ向けた新しい半導体技術が生まれる,本総合報告では,Si (111)面を中心に,ステップ再配列の物理的機構,リソグラフィーによるパターン形成を併用したウエハ一スケールでの制御,ステップの存在しない広いテラスの形成,ステップと表面再構成境界...
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