J. Y. Tsao, S. Chowdhury, M. A. Hollis, D. Jena, N. M. Johnson, K. A. Jones, R. J. Kaplar, S. Rajan, C. G. Van de Walle, E. Bellotti, C. L. Chua, R. Collazo, M. E. Coltrin, J. A. Cooper, K. R. Evans, S. Graham, T. A. Grotjohn, E. R. Heller, M. Higashiwaki, M. S. Islam, P. W. Juodawlkis, M. A. Khan, A. D. Koehler, J. H. Leach, U. K. Mishra, R. J. Nemanich, R. C. N. Pilawa‐Podgurski, J. B. Shealy, Z. Sitar, M. J. Tadjer, A. F. Witulski, M. Wraback, J. A. Simmons
Advanced Electronic Materials
4
(1),
1600501-,
2017-12-04
<jats:title>Abstract</jats:title><jats:p>Ultrawide‐bandgap (UWBG) semiconductors, with bandgaps significantly wider than the 3.4 eV of GaN, represent an exciting and challenging new area of research …
DOI
Web Site
Web Site
ほか2件
被引用文献22件