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  • オープンループ電位顕微鏡を用いたアルミニウム合金腐食過程その場観察および大気中電位分布との比較

    寶 雄也, 小澤 敬祐 Zairyo‐to‐Kankyo 72 (2), 43-47, 2023-02-10

    ...<p>オープンループ電位顕微鏡(OL-EPM)は液中での金属材料表面の電位分布計測を可能とする評価手法である一方,大気中電位との相関性については明らかになっていない.そこで,アルミニウム合金表面を大気環境においてケルビンプローブフォース顕微鏡(KFM)で観察し,さらに同一箇所を液中でOL-EPMによりその場観察することで大気中での電位分布と液中での電位分布の比較を行った.OL-EPMにより得られた液中電位分布...

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  • ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いた窒化ガリウムpn接合の観察

    中村 友謙, 石田 暢之, 鷺坂 恵介 日本表面真空学会学術講演会要旨集 2019 (0), 1P04-, 2019

    ...我々はp型GaNにおけるMg濃度が異なる3種類の試料(3.5×10<sup>19</sup> , 5×10<sup>18</sup> , 5×10<sup>17</sup> cm<sup>-3</sup>)について、ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いて接触電位差(CPD)の測定を行なった。その結果、p型領域とn型領域のCPDの差はMg濃度と共に増加することがわかった。...

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  • 二次元物質の創製と顕微計測

    藤田 大介 顕微鏡 53 (2), 67-74, 2018-08-30

    ...ドーパント,欠陥および基板との結合に依存する.単層,二層,三層グラフェンは異なる電子状態や機能物性を示すため,デバイス応用を見据えた材料研究にはグラフェン層数の特定(膜厚の決定)が不可欠である.そのため,二次元物質,特にグラフェンの層数,原子構造,局所状態密度,化学状態,仕事関数などの構造と物性の微視的計測法が可能なラマン顕微鏡,走査型トンネル顕微鏡,走査型オージェ電子顕微鏡,ヘリウムイオン顕微鏡,ケルビンプローブフォース...

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  • KFMを用いた酸化グラフェンの局所的な電気特性評価方法の検討

    平野 恵, 國武 雅司 表面科学学術講演会要旨集 37 (0), 203-, 2017

    ...また、AFM関連技術として表面電位像を得ることのできるケルビンプローブフォース顕微鏡(KFM)がある。今回、酸化グラフェン(GO)をターゲットサンプルとし、HOPG、ITOと比較することで、GOの絶対表面電位の局所評価を検討したので報告する。...

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  • ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機色素分子/ナノ微粒子界面の電子状態解析

    山田 将也, 丹下 直之, 大塚 洋一, 松本 卓也 表面科学学術講演会要旨集 36 (0), 51-, 2016

    光応答を有するナノ分子システムの構築を目指して、Auナノ粒子とRu色素分子との電子的結合状態についてケルビンプローブ顕微鏡を用いた研究を行った。基盤/Ru色素/金微粒子界面における電子準位の位置関係を明らかにした。さらに、光照射下における電荷の移動やプラズモン励起による影響を調べている。これらの研究は、光の関与する分子エレクトロニクスの新展開に寄与するものである。

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  • NC-AFM/KPFMを用いたTiO<sub>2</sub>(110)表面上の帯電領域の観察

    小野田 穣, Pang Chi Lun, Yurtsever Ayhan, 杉本 宜昭 表面科学学術講演会要旨集 35 (0), 254-, 2015

    ...我々は非接触原子間力顕微鏡(NC-AFM)とケルビンプローブフォース顕微鏡(KPFM)によってルチル型TiO<sub>2</sub>(110)表面上の帯電領域の観察を行った。NC-AFM像から、表面の大域では水の解離によって生じた多くの水素原子が存在しているが、この帯電領域では水素原子は排他的に押し出されることが分かった。...

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  • ケルビンプローブフォース顕微鏡とその薄膜成長評価への応用

    菅原 康弘, 野村 光, 内藤 賀公, 李 艶君 顕微鏡 47 (1), 18-21, 2012-03-30

    ...<p>表面の電位分布や電荷分布は,多くの物理化学過程を左右する極めて重要な物性である.本論文では,探針・試料間に働く静電気力を検出することにより,探針の仕事関数と試料の仕事関数の差によって生じる接触電位差(CPD)を定量的に測定することができるケルビンプローブフォース顕微鏡(KPFM)の測定原理を述べる.この顕微鏡は,カンチレバーの共振現象を利用し微弱な相互作用力を検出できるダイナミックモードと総称...

    DOI Web Site 参考文献8件

  • CNFETにおける high-k ゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響

    鈴木 耕佑, 大野 雄高, 岸本 茂, 水谷 孝 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111 (426), 83-87, 2012-01-31

    ...カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)のゲート絶縁膜界面に生ずる界面電荷について、ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いて調べ、Au電極やSiO_2基板との界面付近に高濃度の正電荷が偏在することを見出している。...

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  • CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響

    鈴木, 耕佑, 大野, 雄高, 岸本, 茂, 水谷, 孝, SUZUKI, Kosuke, OHNO, Yutaka, KISHIMOTO, Shigeru, MIZUTANI, Takashi 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111 (426), 83-87, 2012-01

    ...カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)のゲート絶縁膜界面に生ずる界面電荷について、ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いて調べ、Au電極やSiO_2基板との界面付近に高濃度の正電荷が偏在することを見出している。...

    機関リポジトリ HANDLE 参考文献17件

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