鈴木, 耕佑, 大野, 雄高, 岸本, 茂, 水谷, 孝, SUZUKI, Kosuke, OHNO, Yutaka, KISHIMOTO, Shigeru, MIZUTANI, Takashi
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
111
(426),
83-87,
2012-01
...カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)のゲート絶縁膜界面に生ずる界面電荷について、ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いて調べ、Au電極やSiO_2基板との界面付近に高濃度の正電荷が偏在することを見出している。...
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