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  • 強磁性スピントンネル接合

    猪俣 浩一郎 応用物理 69 (2), 186-190, 2000

    ...強磁性スピントンネル接合 (MTJ) は薄い絶縁層を挟んだ2つの強磁性層からなり,両端に電圧を印加すると電子はスピンを保存したままトンネルすることができる.磁性層の磁化を互いに平行,反平行にスイッチさせることで大きなトンネルMR (TMR) が得られ,その値は最近の技術進展により室温で40%を超える.また,絶縁層の膜厚を制御することで7桁にわたって接合抵抗を変えることができる.現在, MRAMへの応用研究...

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  • ハードディスク用磁気ヘッドの現状と将来

    松崎 幹男 応用物理 68 (1), 62-67, 1999

    ...ハードディスク (HDD) 装置の現状を背景として,スピンバルブGMRヘッドを中心とした読み出しヘツドの現状と今後を解説した.特にスピンバルブGMRヘッドの原理と問題点および今後の技術開発の方向性について述べ,次世代ヘッドとしてのスピントンネルGMRヘッドについても触れた.同時に書き込みヘッドの最大の課題である高周波数書き込みへのアプローチにも言及した....

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