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検索結果 24 件

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  • TiNメタルゲートFinFETのばらつき評価

    遠藤 和彦, 大内 真一, 石川 由紀, Liu Y., 松川 貴, 坂本 邦博, 塚田 順一, 山内 洋美, 昌原 明植 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2010.1 (0), 2942-2942, 2010-03-03

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  • メタルゲート／高誘電率絶縁膜スタックの最前線

    奈良 安雄 応用物理 76 (9), 1006-1012, 2007-09-10

    ...<p>メタルゲート技術，高誘電率ゲート絶縁膜技術は，CMOS LSIの微細化，高性能化を今後とも継続して進めていくための重要な技術である．Hf系高誘電率ゲート絶縁膜は，その形成プロセスを最適化することにより，酸化膜換算膜厚0.8nm程度までスケーリング可能であり，ハーフピッチ32nmの世代へも適用可能性があることを示す．メタルゲート技術は，インテグレーション方式や必要とするデバイス特性を考慮して，ゲート...

    DOI Web Site 被引用文献1件 参考文献32件

  • HfSiON 及びSiO<sub>2</sub> ゲート絶縁膜上のNi フルシリサイドメタルゲート電極（キーノートスピーチ）

    間部 謙三, 高橋 健介, 長谷 卓, 五十嵐 信行, 五十嵐 多恵子, 忍田 真希子, 渡部 平司, 安武 潔, 辰己 徹 精密工学会学術講演会講演論文集 2006S (0), 635-636, 2006

    ...半導体集積の最小構成ユニットであるSi電界効果トランジスタ（Metal–Oxide–Semiconductor Field Effect Transistor：MOSFET）の更なる高性能化のため、従来用いられてきたシリコン酸化膜絶縁膜及び多結晶Si電極に代わり高誘電率（high–k）ゲート絶縁膜及びメタルゲート電極の導入が強く望まれている。...

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  • メタルゲート技術の最近の展望

    須黒 恭一, 中嶋 一明, 齋藤 友博, 松尾 浩司 応用物理 74 (9), 1185-1191, 2005-09-10

    ...，ゲート電極開発の歴史と，最近のメタルゲート技術に関する筆者らの研究開発活動を中心に現状と課題をまとめた．...

    DOI Web Site 被引用文献2件

  • 高誘電率ゲート絶縁膜とメタルゲートの電極との界面反応の評価

    喜多 祐起, 吉田 慎一, 渡辺 康匡, 志村 考功, 渡部 平司, 安武 潔, 赤坂 泰志, 奈良 安雄, 中村 邦雄, 山田 啓作 精密工学会学術講演会講演論文集 2005A (0), 817-818, 2005

    ...次世代MOSFETでは、高誘電率ゲート絶縁膜とメタルゲート電極の導入が検討されている。しかし、これらの界面反応がデバイス特性に及ぼす影響が明らかになっていない。本研究では、各種の構造評価手法及びMOSキャパシタの電気特性評価から、熱処理に伴うTiN/HfSiONの界面反応を詳細に評価した。その結果、700°Cにて極薄TiO2層が形成され、これ以上の高温では電気特性が劣化することを明らかにした。...

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  • 反応性スパッタリング法によるメタルゲート電極形成技術

    山田 隆順, 森脇 將, 原田 佳尚, 江利口 浩二 応用物理 69 (9), 1103-1107, 2000

    ...メタルゲート電極形成が,ゲート絶縁膜リーク電流や信頼性に及ぼす影響を評価した.スパッタリング法によるWゲートたい積では,表面への物理ダメージにより絶縁膜特性が劣化した.一方,窒素ガスを用いた反応性スパッタリング法によるWN<sub><i>x</i></sub>....

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  • 極微細低抵抗ゲート電極配線技術

    須黒 恭一 応用物理 68 (11), 1258-1262, 1999

    ...トランジスタの高性能化を進めるうえでゲート電極の低抵抗化とゲート絶縁膜の薄膜化は必須である.本稿では,トランジスタのゲート電極低抵抗化の技徳トレンドと最近開発したダマシンゲートプロセスを紹介する.ダマシンゲートプロセスを用いると,ゲートの後工程が低温化できるため,メタルゲートや高誘電率絶縁膜がトランジスタに容易に適用可能となる....

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