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検索結果 209 件

  • シリコン電極薄型燃料電池の開発

    高岸 瑞生, 高橋 和之, 井田 晋平, 早瀬 仁則 精密工学会学術講演会講演論文集 2023S (0), 760-761, 2023-03-01

    ...成功した多孔質AuにPd-Ptの原子層堆積を試みた....

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  • 結晶シリコン太陽電池の新規キャリヤ選択性パッシベーティングコンタクトの開発

    松井 卓矢 応用物理 90 (6), 346-350, 2021-06-05

    ...不活性化するパッシベーション機能と,電子または正孔の一方を選択的に取り出す機能を併せもつ「キャリヤ選択性パッシベーティングコンタクト(Carrier Selective Passivating Contact)」が注目されている.特に,既存技術で用いられているアモルファスシリコンなどの材料を,より低コストで光学的に透明な材料に置き換えることを目指した研究が繰り広げられている.本研究では,結晶シリコンに原子層堆積法...

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  • 低温・低コスト溶液プロセスによるα-Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜の原子層堆積

    谷口 有沙子, 鈴木 義和 ホソカワ粉体工学振興財団年報 28 (0), 153-156, 2021-05-25

    <p>ヘマタイト(α-Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)は,無毒であり,優れた化学・熱安定性を有する機能性素材である.しかし,従来の製膜法では,堆積中や堆積後に500°C以上のアニール処理を結晶化のために必要とするため,耐熱性に乏しい基板上へのα-Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>層の製膜が困難であった.この問題を解決するため,我々はFe水溶液からα-F…

    DOI Web Site 参考文献4件

  • 原子層堆積法の宇宙X線望遠鏡への応用

    福島 碧都, 伊師 大貴, 江副 祐一郎, 石川 久美, 沼澤 正樹, 大坪 亮太, 鈴木 光, 湯浅 辰哉, 内野 友樹, 作田 紗恵, 満田 和久 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 (0), 590-590, 2020-02-28

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  • シリコン電極薄型燃料電池の開発

    入田 賢, 小船 想士朗, 黒瀬 智洋, Vasiljevic Natasa, 早瀬 仁則 精密工学会学術講演会講演論文集 2019A (0), 254-254, 2019-08-20

    ...<p>我々は,これまでに電気化学原子層堆積法(ALD)によるAu-Pd-Pt多層触媒の作製,そして小型燃料電池への応用研究を行ってきた.ALDにより多孔質Au上にPdとPtの原子層を堆積形成したAu-Pd-Pt多層触媒は,O<sub>2</sub>と100 ppm COを含んだH<sub>2</sub>を用いた場合でも約100 mW/cm<sup>2</sup>の発電を行うことができ,性能低下がないことを...

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  • 次世代CMOSチャネル実現に向けた硬X線光電子分光によるグラフェン・ゲート絶縁膜界面構造の最適化

    近藤 大雄, 林 賢二郎, 山口 淳一, 曽我 育生, 佐藤 信太郎, 横山 直樹 SPring-8/SACLA利用研究成果集 7 (1), 40-43, 2019-01-25

    ...今回は、原子層堆積法や蒸着法などの異なる方式で作製した絶縁膜とグラフェンの界面電子状態を硬X線光電子分光により調べることで、現在想定し得るゲート絶縁膜候補材料とグラフェン界面での電子状態から絶縁膜としての適性の検討を行い、グラフェン直上には SiO<sub>2</sub> を絶縁膜として堆積することが望ましく、その上に別途 High-k 等の絶縁膜を堆積すれば良いことが判明した。...

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  • シリコン電極薄型燃料電池の開発

    黒瀬 智洋, 白井 領, Vasiljevic Natasa, 早瀬 仁則 精密工学会学術講演会講演論文集 2018A (0), 800-801, 2018-08-20

    ...<p>シリコン基板上に燃料流路と触媒層を一体成型した薄型燃料電池の開発を進めている.白金族の使用量削減、また、高いCO耐性実現のために、電気化学的原子層堆積を用いてAu-Pd-Pt多層触媒の開発を進めてきた。本研究では、この触媒をシリコン電極上に形成し、燃料電池の試作を行った。...

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  • 原子層堆積法を用いた酸化物薄膜スタックの電気特性制御と多値メモリ

    生田目 俊秀 応用物理 87 (1), 25-28, 2018-01-10

    ...<p>原子層堆積(ALD)法は,室温成膜が可能で,オングストロームオーダでの膜厚の制御,粒子・ホールなどの3次元構造へ均質な酸化物および金属膜を形成できる利点を有しており,幅広い分野で興味がもたれている成膜手法である.本稿では,200°Cの低温度で,ALD法を用いて作製したアモルファスなAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TiO<sub>2</sub>バイレイヤをスイッチング層として...

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  • 室温原子層堆積法とその応用

    廣瀬 文彦 応用物理 86 (9), 796-800, 2017-09-10

    ...<p>原子層堆積法(ALD)の室温化研究について紹介する.ALDの室温化を阻む要因を探るため,有機金属ガスの酸化物表面への吸着のその場観察を試みた.多くの有機金属ガスは,表面のヒドロキシル基を吸着サイトとすることで,室温で吸着する.吸着表面を酸化しながら,ヒドロキシル基を表面に形成する方法として,加湿アルゴン(Ar)をプラズマ励起したガスを酸化剤とすることで,室温堆積を実証した.本プロセスは,室温製膜...

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  • ALDによる中空構造の作製

    佐川 達郎, 中村 昌幸, 小林 貴之, 立田 利明, 本山 慎一 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 (0), 2887-2887, 2017-08-25

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  • 熱ALD及びPE-ALD法で形成したHigh-k絶縁膜

    生田目 俊秀 表面科学学術講演会要旨集 37 (0), 148-, 2017

    ...原子層堆積(Atomic layer deposition: ALD)法で形成された金属膜及び高誘電率な金属酸化物(High-k)の薄膜は、トランジスタ、メモリ等の半導体を初め、生体など各種の分野で盛んに用いられている。...

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  • ALD/ALEプロセスの速度論的特徴と応用展開

    霜垣 幸浩 表面科学学術講演会要旨集 37 (0), 143-, 2017

    ...原子層堆積法(ALD)は,ナノメートルレベルでの膜厚制御性、膜厚均一性などを有する手法であり,幅広い応用展開が期待されている。またALDと同じように,ガスを交互供給することによりエッチングを行う原子層エッチング法(ALE)は,原子レベルで平滑なエッチングを高い選択性で実現できることから,次世代デバイス作製に必須の技術と目されている。...

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  • 赤外吸収分光を用いた樹脂膜上における室温原子層堆積過程の観察

    鹿又 健作, 三浦 正範, 有馬 ボシールアハンマド, 久保田 繁, 平原 和弘, 廣瀬 文彦 表面科学学術講演会要旨集 37 (0), 202-, 2017

    ...室温原子層堆積を用いてアクリル樹脂、スチレン樹脂上に酸化膜の堆積を行い、X線光電子分光と赤外吸収分光によって評価を行った。その結果、樹脂材料の違いによって堆積される膜厚が異なることが分かった。発表では、赤外吸収分光を用いた原料分子の吸着と酸化過程について議論を行う。...

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  • 一体成型したシリコン電極板を用いた薄型燃料電池

    宮内 俊光, 早瀬 仁則 精密工学会学術講演会講演論文集 2016S (0), 261-262, 2016

    ...シリコン基板上に燃料流路と触媒層を一体成型した薄型燃料電池の開発を進めている.触媒層でのPt使用量削減のため,電気化学的原子層堆積UPD-SLRR法により多孔質Pd上へ原子層レベルのPt堆積を試みてきた.一方で,Pd-Ptは触媒を被毒する一酸化炭素(CO)耐性が高いことが分かった. Pt堆積を詳細に制御するために H(Hydrogen)-UPD-SLRR法の適用を検討し,耐CO特性を観察した....

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  • 次世代CMOSグラフェンチャネル実現に向けた硬X線光電子分光によるゲート絶縁膜の最適化

    近藤 大雄, 林 賢二郎, 山口 淳一, 佐藤 信太郎, 横山 直樹 SPring-8/SACLA利用研究成果集 3 (2), 461-463, 2015-07-21

    ...今回、原子層堆積法や電子ビーム蒸着法などの異なる方式で作製した絶縁膜とグラフェンの界面電子状態を硬X線光電子分光により調べることで、現在想定し得るゲート絶縁膜候補材料とグラフェン界面での電子状態から絶縁膜としての適性の検討を行った。...

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  • 一体成型したシリコン電極板を用いた薄型燃料電池

    小倉 大樹, 本条 貴之, 早瀬 仁則 精密工学会学術講演会講演論文集 2012A (0), 883-884, 2012

    ...MEMS技術を用いて,シリコン基板上に触媒層,拡散層,燃料流路を一体成型した薄型燃料電池の開発を進めている.多孔質白金を触媒として用いてきたため,白金の使用量が多く,削減する必要がある.そこで,白金よりも廉価な多孔質パラジウム層を形成し,このパラジウム表面上に原子層レベルで白金を堆積させることを試みた.本報では,UPD-SLRR法と呼ばれる電気化学的原子層堆積手法の適用を検討した.この結果,微量の白金堆積...

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  • 原子層堆積Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価

    宮崎, 英志, 合田, 祐司, 岸本, 茂, 水谷, 孝, Miyazaki, Eiji, Gouda, Takeshi, Kishimoto, Shigeru, Mizutani, Takashi 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111 (46), 185-190, 2011-05

    Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSFETのFET特性改善のため、Al_2O_3成膜前の前処理として(NH_4)_2S(硫化アンモニウム)処理を検討した。まず初めに、Al_2O_3/n-GaN MOSダイオードを用いて、(NH_4)_2S処理の効果を検討した所、Al_2O_3成膜前に(NH_4)_2S処理を行うことでC-Vカーブの傾きが(NH_4)_2S処理なしに比べて急峻になり、界面準位…

    機関リポジトリ HANDLE Web Site ほか2件 参考文献16件

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