村上, 秀樹, 藤岡, 知宏, 大田, 晃生, 三嶋, 健斗, 東, 清一郎, 宮崎, 誠一, MURAKAMI, Hideki, FUJIOKA, Tomohiro, OHTA, Akio, MISHIMA, Kento, HIGASHI, Seiichiro, MIYAZAKI, Seiichi
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
111
(114),
47-50,
2011-06-27
High-k/Ge界面制御手法として、極薄TiO_2層の挿入に着目し、塩酸処理したGe(100)表面上へのTiO_2の原子層制御CVDを検討した。さらに、誘電率低下の要因となるGe界面酸化層の形成の抑制を目指し、TEMAT錯体の飽和吸着と熱分解の繰り返しにより極薄低酸化TiO_x(x<2)層をGe(100)基板上に形成後、HfO_2層を原子層制御堆積した。熱処理前後でX線光電子分光法(XPS)を…
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