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鷲田 一樹, 高岡 毅, グエン タットル, アラム イフェクハルル, 塚本 一平, 和泉 廣樹, 米田 忠弘 日本物理学会講演概要集 74.1 (0), 1839-1839, 2019

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高岡 毅, Nguyen Tat Trung, 塚本 一平, Iftekhar Md. Alam, Md. Ikram Hosain, 鷲田 一樹, 安藤 淳, 米田 忠弘 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 (0), 3988-3988, 2018-03-05

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鷲田 一樹, 高岡 毅, グエン タットル, イフェクハルル アラム, 塚本 一平, 和泉 廣樹, 米田 忠弘 日本物理学会講演概要集 73.2 (0), 1310-1310, 2018

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塚本 一平, グエン タットル, ホセイン イクラム, イフェカル アラム, 高岡 毅, 安藤 淳, 米田 忠弘 日本物理学会講演概要集 73.1 (0), 1751-1751, 2018

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NGUYEN TAT TRUNG, 塚本 一平, IFTEKHART ALAM, IKRAM HOSAIN, 高岡 毅, 米田 忠弘, 安藤 淳 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 (0), 3853-3853, 2017-08-25

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塚本 一平, 米田 忠弘, 安藤 淳, 高岡 毅, グエン　タット トルン, Ikram Hossain Mohammad, Alam Md Iftekharul 表面科学学術講演会要旨集 37 (0), 281-, 2017

本研究では二硫化モリブデン(MoS2)を用いた電界効果トランジスター(FET)のチャンネル部分に分子を吸着させ、そのFET特性の変化を分子の吸着状態・電子状態から理解しようとするものである。シリコン酸化膜上に機械的剥離法を用いて転写したMoS2チャンネルをバックゲートで動作させた。そのn型のFET特性は1/1000MLの分子吸着に対しても明瞭な変化を示し、分子センサーとして有望である。分子種を変…

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