東 嵩晃, Irmikimov Aydar, Pamasi Liliany N., Hashamova Emilia E., 髙橋 駿太, 服部 梓, 田中 秀和, 郭 方准, 石 晓倩, 服部 賢
日本表面真空学会学術講演会要旨集
2020
(0),
9-,
2020
<p>半導体開発において高密度化が進んでおり、更なる発展の為には3D Siの側壁面やファセット表面の清浄化、及び機能性ナノ薄膜形成を制御する必要がある。本研究では、高機能化が期待できるピラミッド構造を対象として、3D Si{111}ピラミッドの作製、ファセット表面の清浄化、及びFeシリサイドナノ薄膜形成の制御を目的とした。これらの構造評価はSEM、LEED観察用いて達成された。</p>
DOI
