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検索結果 365 件

  • 第一原理計算に基づくGeベースの希薄磁性半導体の研究

    新屋 ひかり, 福島 鉄也, 真砂 啓, 佐藤 和則, 吉田 博 日本物理学会講演概要集 72.1 (0), 1360-1360, 2017

    ...<p>近年、Geに遷移金属をドーピングした希薄磁性半導体が注目を浴びている。本研究では、KKR-CPA法に基づき磁性特性を調べた結果、スピノーダル分解による不均一ナノ構造が高いキュリー温度に貢献していることがわかった。</p>...

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  • 希薄磁性半導体(Ga,Mn)AsのARPESにおける磁気線二色性

    相馬 清吾, Chen L., Oszwałdowski R., 佐藤 宇史, 松倉 文礼, Ditel T., 大野 英男, 高橋 隆 日本物理学会講演概要集 72.1 (0), 1529-1529, 2017

    <p>強磁性半導体(Ga,Mn)Asは、多くのスピントロニクス新現象の実証に貢献してきたモデル物質であるが、その強磁性機構については大きな論争がある。今回我々はTc~100Kの(Ga,Mn)As試料についてin-situ高分解能ARPESを行い、Asホールバンドの光電子強度の波数依存性が試料の磁化方向により反転すること、すなわち磁気線二色性があることを見出した。この結果は、Asバンドの交換分裂に…

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  • 希薄磁性酸化物の磁気特性とメスバウアースペクトル

    野村 貴美 RADIOISOTOPES 62 (11), 857-875, 2013

    ...新しいスピントロニクス材料開発のために,希薄磁性半導体あるいは絶縁体(DMS又はDMI)の基礎研究が推進されている。酸化物中にドープした磁性イオンがどんな状態で存在するか,たとえばクラスターあるいは分散したイオンとして存在するか,明確にすることは不可欠である。...

    DOI Web Site Web Site 被引用文献1件 参考文献25件

  • 特集 半導体×磁気:世界の設計者が集う 拠点を日本につくりたい

    大野 英男 日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation (1071) 50-53, 2011-12-12

    ...スピントロニクス分野の「希薄磁性半導体における強磁性の特性と制御に関する研究」が受賞対象になると予測しています。ノーベル賞候補に名前が挙がったことを、どのように受け止めていますか。 私の受賞が今後絶対にないとは言いませんが、先に受賞すべき方々がたくさんいらっしゃいます。...

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  • GaDyN/AlGaN量子井戸超格子の作製とその光学特性

    佐野 雅昭, 中谷 裕紀, 周 逸凱, 江村 修一, 長谷川 繁彦, 朝日 一 表面科学学術講演会要旨集 31 (0), 55-55, 2011

    ...既に我々は実験的に室温で強磁性を示す希薄磁性半導体GaDyNの作製に成功し、様々な基本物性を研究してきた。今回、GaDyN / AlGaN量子井戸構造(QW-SL)を作製し、良質なQW-SL構造を得た。また、光学特性においてDyイオンによる発光スペクトルを観察した。発表ではより詳細な実験結果と解析結果を報告する。...

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  • Be,Si共添加したGaGdNのMBE成長とその評価

    湯川 文夫, 長谷川 繁彦, 朝日 一 表面科学学術講演会要旨集 30 (0), 120-120, 2010

    ...本研究では、希薄磁性半導体GaGdNに対してp型ドーパントであるBeとn型ドーパントであるSiをドープした際の成長条件と電気特性について調べた。...

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  • 非晶質チタニア薄膜の合成と磁気的性質

    今田 直人, 赤松 寛文, 藤田 晃司, 村井 俊介, 田中 勝久 日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集 2009F (0), 2L20-2L20, 2009

    近年、3d金属イオンなどの磁性イオンを含まないHfO<SUB>2</SUB>薄膜が室温強磁性を示すことが報告された。このような強磁性体はd<SUP>0</SUP>強磁性体と呼ばれ、現在までにTiO<SUB>2</SUB>, ZnOなど様々な結晶で報告されている。磁化の起源が酸素欠損であるというモデルが提案されているが、強磁性が現れる機構は十分には解明されていない。そこで本研究ではパルスレーザー堆…

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  • 非ドープ酸化チタン薄膜の磁気的・電気的性質

    今田 直人, 赤松 寛文, 藤田 晃司, 村井 俊介, 田中 勝久 日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集 2009S (0), 521-521, 2009

    ...スピントロニクス材料作製のアプローチの一つとして、希薄磁性半導体の研究が盛んに行なわれている。これは半導体を3d金属イオンなどの磁性イオンでドーピングすることで達成されてきた。一方、磁性イオンを含まないHfO<SUB>2</SUB>薄膜が室温強磁性を示すことが報告された。...

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  • ZnMnO/ZnOヘテロ構造のキャリア輸送特性

    益子 慶一郎, 芦田 淳, 吉村 武, 藤村 紀文 日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集 2008S (0), 1B19-1B19, 2008

    近年、次世代電子デバイスの一つとして電子が持つ電荷以外にスピンの自由度を最大限かつ有効に活用する“スピントロニクスデバイス”が大きな注目を集めている。我々はその母体材料としてZnOに注目している。ZnOはスピン緩和時間が長い事やMn doped ZnO (ZnMnO)がp型の時に室温で強磁性を発現する事が期待されており、デバイスの室温動作という点でSiやGaAsと比べて有利であると考えている。こ…

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  • 窒化ガリウム上の鉄ドット形成とそのI-V特性

    本多 裕也, 曽谷 基紀, 長谷川 繁彦, 朝日 一 表面科学学術講演会要旨集 28 (0), 175-175, 2008

    ...そこで、希薄磁性半導体であるGaCrNと強磁性体である鉄を組み合わせたFe/AlN/GaCrNトンネル磁気抵抗素子の作製を目標として、GaN上に鉄を蒸着させ形成した鉄ドット構造を、STMなどを用いて観察した。蒸着時間が短いサンプルでは鉄のドットは小さく超常時性的な振る舞いを示し、蒸着時間が長くなるにつれてドット同士が結合しある方向にドットが伸びていき強磁性を示すようになった。...

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  • 窒化物半導体薄膜の走査プローブ顕微鏡による微視的評価

    高村(山田) 由起子, 王 治涛, 藤川 安仁, 櫻井 利夫 応用物理 76 (5), 499-504, 2007-05-10

    ...と走査プローブ顕微鏡を組み合わせ,その表面を原子レベルで評価することが可能となった.主な成果として,膜の極性と表面の組成に依存する表面再構成構造の詳細が明らかになったことがあげられる.最近ではこの手法を用いて,窒化物薄膜成長の極性制御,窒化物薄膜のドライエッチング過程,窒化物薄膜上への金属薄膜成長過程などの研究が展開されている.今後は,強磁性体プローブを用いたスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の窒化物希薄磁性半導体...

    DOI 機関リポジトリ Web Site 参考文献24件

  • 希薄磁性半導体膜の交番磁界に対する磁気光応答

    岡田 章, 今村 正明 日本応用磁気学会誌 30 (2), 208-211, 2006

    We previously developed quaternary diluted magnetic semiconductor (DMS; CdMnCoTe) films that exhibit a large Faraday rotation in the visible region at room temperature. We newly prepared four types …

    DOI 被引用文献1件 参考文献5件

  • 固相反応により作製したZn-Mn-O系酸化物の磁気的性質

    福井 和也, 田中 勝久, 村井 俊介, 藤田 晃司 日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集 2006S (0), 482-482, 2006

    固相反応法により作製した(1-<I>x</I>)ZnO·<I>x</I>MnO<SUB>2</SUB>の結晶構造と磁気的性質について調べた。結晶構造についてはXRD測定で調べ、磁気的性質については磁化率の温度依存性および磁場依存性を調べた。<I>x</I><2かつ焼結温度500°C 以下の試料でのみ室温強磁性が観察された。この結果から、ZnO中に分散しているMnO<SUB>2</SUB>微粒子が…

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  • 窒化物希薄磁性半導体Ga1-xMnxNの高エネルギー分光

    Hwang, J. I., 石田 行章, 小林 正起, 平田 玄, 田久保 耕, 溝川 貴司, 藤森 淳, 岡本 淳, 間宮 一敏, 斎藤 祐児, 村松 康司, Ott, H., 田中 新, 近藤 剛, 宗片 比呂夫 Physical Review B 72 (8), 085216_1-085216_6, 2005-08

    常磁性Ga$_{1-x}$Mn$_{x}$Nの電子構造について光電子分光(PES),X線吸収分光(XAS)によって調べた。XAS実験スペクトルを理論計算と比較することによって、GaN中Mnは正四面体配位結晶場中の2価で説明できることがわかった。この結果に従い、Mn2p及びMn3d光電子スペクトルを配置間相互作用クラスターモデルで解析した。これにより見積もられた電子構造パラメータから計算したp-d…

    機関リポジトリ

  • 磁性半導体ナノガラスの磁場中顕微分光

    村山 明宏, 氷見 恭子, 相馬 出, 岡 泰夫 日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集 2005F (0), 667-667, 2005

    ...特徴的な巨大磁気光学効果を示すII-VI族希薄磁性半導体ナノ構造を高純度ガラス薄膜と複合化した、磁性半導体ナノガラスの磁気光学特性を磁場中顕微発光分光により研究した。また、強い量子閉じ込め効果を示す自己組織化CdSeおよびCd1-xMnxSe量子ドット層を用いた同様のナノガラス構造についても研究を行っている。...

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  • 磁性半導体ナノガラスの作製

    村山 明宏, 氷見 恭子, 相馬 出, 岡 泰夫 日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集 2005F (0), 96-96, 2005

    ...電子ビームリソグラフィーによりII-VI族希薄磁性半導体の規則配列ナノ構造を作製し、高純度ガラス薄膜を積層した磁性半導体ナノガラス構造を実現した。...

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