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後藤 民浩, Min Zhu 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 (0), 196-196, 2021-02-26
DOI
中岡 俊裕, 渡部 達也, 朴 孝晟, 中谷 和希, 依田 功, 正光 義則, 川﨑 繁男 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 (0), 197-197, 2021-02-26
畑山 祥吾, 須藤 祐司 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 (0), 194-194, 2021-02-26
嶋川 晃一 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 (0), 198-198, 2021-02-26
齊藤 雄太 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 (0), 199-199, 2021-02-26
森 竣祐, 安藤 大輔, 須藤 祐司 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 (0), 195-195, 2021-02-26
須藤 祐司, 畑山 祥吾, 森 竣祐, 双 逸 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 (0), 200-200, 2021-02-26
森 竣祐, 安藤 大輔, 須藤 祐司 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.2 (0), 2175-2175, 2020-08-26
須藤 祐司, 畑山 祥吾, 双 逸, 森 竣祐 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.2 (0), 122-122, 2020-08-26
金 美賢, 森 竣祐, 安藤 大輔, 須藤 祐司 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.2 (0), 2176-2176, 2020-08-26
畑山 祥吾, 須藤 祐司 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.2 (0), 2177-2177, 2020-08-26
後藤 民浩 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 (0), 269-269, 2020-02-28
富永 淳二 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 (0), 187-187, 2020-02-28
畑山 祥吾, シュアン イ, フォンス ポール, 齊藤 雄太, コロボフ アレキサンダー, 小林 啓介, 進藤 怜史, 安藤 大輔, 須藤 祐司 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 (0), 268-268, 2020-02-28
須藤 祐司, 畑山 祥吾 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 (0), 267-267, 2020-02-28
石井 正俊 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 (0), 4153-4153, 2019-09-04
飯島 平, 安藤 大輔, 須藤 祐司, ジュン ソプ アン, ユン ヘブ ソン 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 (0), 3699-3699, 2019-09-04
齊藤 雄太, 畑山 祥吾, 雙 逸, 進藤 怜史, フォンス ポール, コロボフ アレクサンダー, 小林 啓介, 須藤 祐司 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 (0), 3363-3363, 2019-02-25
野原 弘晶, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 (0), 1864-1864, 2019-02-25
白石 賢二 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 (0), 196-196, 2018-09-05
畑山 祥吾, 須藤 祐司, 安藤 大輔, 小池 淳一 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 (0), 3777-3777, 2018-03-05
鈴木 隆良, 齊藤 雄太, Fons Paul, Kolobov Alexander V., 富永 淳二, 長谷 宗明 日本物理学会講演概要集 73.1 (0), 1486-1486, 2018
白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 (0), 3641-3641, 2017-03-01
畑山 祥吾, 進藤 怜史, 安藤 大輔, 須藤 祐司, 小池 淳一 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 (0), 3655-3655, 2016-03-03
富永 淳二 表面科学学術講演会要旨集 36 (0), 7-, 2016
...超格子型相変化メモリの原理、機能を含めて、その作製に関するデザインルールを紹介し、トポロジカル現象との関連について実験結果を含めて紹介する。...
富永 淳二 応用物理 84 (12), 1091-1096, 2015-12-10
...</p><p>本稿では超格子相変化メモリの開発の経緯とその特性，また最近わかってきたトポロジカル絶縁体との関係について紹介する．</p>...
DOI Web Site
畑山 祥吾, 安藤 大輔, 須藤 祐司, 小池 淳一 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.2 (0), 3289-3289, 2015-08-31
須藤 祐司, 齊藤 雄太, 進藤 怜史, 小池 純一 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.2 (0), 3293-3293, 2015-08-31
エガミ, トオル 大学院研究年報 理工学研究科編 45 2015-07-01
application/pdf
機関リポジトリ
江上 徹 大学院研究年報 理工学研究科編 (45) 2015-07-01
大池 広志, 賀川 史敬, 小川 直毅, 上田 顕, 森 初果, 川崎 雅司, 十倉 好紀 日本物理学会講演概要集 70.1 (0), 1431-, 2015
高戸 真之, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二 日本物理学会講演概要集 70.1 (0), 2556-, 2015
中川, 岳, 追川, 修一 情報処理学会論文誌プログラミング（PRO） 7 (5), 13-13, 2014-12-05
...次世代の不揮発性メモリはバイトアクセス可能であり，計算機の主記憶として 利用可能である．主記憶が不揮発になることで，主記憶と2次記憶を融合することが可能になる．これにより，CPUから永続的なデータに直接アクセスが可能になり，I/Oのオーバヘッドを削減することができる．しかしながら，現時点では単体で主記憶を構成可能なNVMは登場していない．そのため，これまで，少量のDRAMと相変化メモリ（PCM）を組...
情報処理学会
住広 直孝 応用物理 83 (10), 808-815, 2014-10-10
...<p>2010年に発足した技術研究組合LEAPは，Internet of Thingsへの応用などを念頭に，LSIのさらなる低消費電力化に貢献するデバイスとして，薄膜SOI基板を用いたSOTBや，抵抗変化を利用した原子移動型スイッチ，磁性変化メモリ，相変化メモリ，そして，カーボンを用いた低抵抗配線技術を開発してきた．量産と同じ300mmウェーハを用いた試作環境を構築し，これらのデバイスを用いたLSI...
武山, 昌平, 鎌部, 浩 電子情報通信学会技術研究報告. ISEC, 情報セキュリティ 113 (484), 233-240, 2014-03-03
機関リポジトリ HANDLE Web Site ほか2件
山﨑 泉樹, 江上 徹, 上口 光, 竹内 健 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.1 (0), 3502-3502, 2014-03-03
洗平 昌晃, 加藤 重徳, 山本 貴博, 白石 賢二 日本物理学会講演概要集 69.1.4 (0), 886-, 2014
森川 貴博, 大柳 孝純, 木下 勝治, 田井 光春, 秋田 憲一, 高浦 則克, 加藤 重徳, 洗平 昌章, 神谷 克政, 山本 貴博, 白石 賢二 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2013.2 (0), 4176-4176, 2013-08-31
笹子 佳孝, 木下 勝治, 小林 孝 応用物理 82 (4), 313-316, 2013-04-10
...<p>フラッシュメモリに続く大容量不揮発メモリの実現を目指してpoly-Si MOSトランジスタ駆動の相変化メモリの研究を行っている．本研究では，チャネルポリSi上に形成した薄膜相変化材料を用いることで相変化メモリのリセット電流を低減し，シリコン基板上のトランジスタと比較してオン電流が小さいpoly-Si MOSトランジスタで相変化メモリを駆動できるようにした．積層ゲートに一括加工で形成したメモリホール...
DOI Web Site 参考文献13件
森川 貴博, 秋田 憲一, 大柳 孝純, 北村 匡史, 木下 勝治, 田井 光春, 高浦 則克 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2013.1 (0), 3353-3353, 2013-03-11
上口 光, 吉岡 和顕, 竹内 健 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2013.1 (0), 2730-2730, 2013-03-11
洗平 昌晃, 加藤 重徳, 山本 貴博, 白石 賢二 日本物理学会講演概要集 68.1.4 (0), 975-, 2013
富永 淳二 日本物理学会講演概要集 68.2.4 (0), 603-, 2013
富永 淳二 表面科学学術講演会要旨集 33 (0), 73-, 2013
相変化固体メモリが実用化され、スマートフォンへの搭載が始まっている。この記録材料としてGe-Sb-Teが用いられているが、いずれの元素も非磁性で、この三元合金も非磁性であるものと考えられていた(実際に非磁性であることは幾つかの論文で報告されている)。しかし、この合金をGeTeとSb2Te3層に分離して双方の結晶軸を揃えた超格子結晶膜として形成すると、面垂直に電場を加えると2000%を超える磁気抵…
吉岡 和顕, 上口 光, 新谷 俊通, 森川 貴博, 竹内 健 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2012.1 (0), 3057-3057, 2012-02-29
田井 光春, 大柳 孝純, 木下 勝治, 高浦 則克 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2012.1 (0), 3763-3763, 2012-02-29
小林 啓介 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2011.2 (0), 143-143, 2011-08-16
齊藤 雄太, 隅谷 真志, 須藤 祐司, 小池 淳一 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2011.1 (0), 3830-3830, 2011-03-09
日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation (1049) 48-59, 2011-02-07
...メモリ・セルを3次元化する3次元NANDフラッシュ・メモリのほか，動作原理を刷新して性能を高めたストレージ・クラス・メモリとして，抵抗変化型メモリ（ReRAM）や相変化メモリ（PRAM），磁気メモリ（MRAM）などがある（表1）。...
PDF Web Site
齊藤 雄太, 鎌田 俊哉, 隅谷 真志, 須藤 祐司, 小池 淳一 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2010.2 (0), 3374-3374, 2010-08-30
須藤 祐司, 鎌田 俊哉, 齊藤 雄太, 隅谷 真志, 小池 淳一 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2010.2 (0), 3375-3375, 2010-08-30
笹子 佳孝, 木下 勝治, 森川 貴博, 黒土 健三, 半澤 悟, 峰 利之, 島 明生, 藤崎 芳久, 守谷 浩志, 高浦 則克, 鳥居 和功 映像情報メディア学会技術報告 33.41 (0), 31-35, 2009
...本技術により、相変化メモリチップの低コスト化が可能となる。...
DOI Web Site 参考文献4件
小林 啓介, 金 正鎮, 池永 英司, 上田 茂典, 小畠 雅明, 松永 利之, 木船 弘一, 児島 理恵, 山田 昇 日本物理学会講演概要集 64.1.4 (0), 803-, 2009
『応用物理』編集委員会 応用物理 77 (9), 1059-1059, 2008-09-10
...</p><p>総合報告では，強誘電体メモリー（FeRAM），磁気抵抗変化メモリー（MRAM），相変化メモリー（PRAM），抵抗変化型メモリー（ReRAM）などの新原理不揮発性メモリーについて，動作メカニズムや将来的に期待される性能について概観します．これに続き，最近特に進展が目覚ましく注目が集まっているReRAM，三次元積層メモリーといった個々の研究，さらにはこれらのすべての半導体メモリーの発展に欠...
寺尾 元康 応用物理 75 (9), 1098-1102, 2006-09-10
...<p>相変化メモリー(PRAM)について解説する．PRAMは，電流によって非晶質-結晶間の相変化を起こさせてメモリーとし，弱い電流で抵抗値の検出によって読み出しを行うものである．少なくとも1けたの抵抗比が得られる．構造が単純であるから工程数が少なくてすむ．抵抗の低い結晶状態から非晶質状態に変化させるリセット動作の電流値を小さくすること，書き換え可能回数と耐熱性を向上させることが主要課題であったが，改善...
DOI Web Site 被引用文献3件 参考文献25件
菅原 健太郎, 田中 啓司, 後藤 民浩 応用物理 73 (7), 910-916, 2004-07-10
...<p>光パルスや電気パルスによって誘起される，双安定(結晶とアモルファス状態)な変化を利用した相変化メモリーについて，原理と現状を述べ，極限特性などを考察する．</p>...
DOI Web Site 被引用文献2件 参考文献54件
保坂 純男, 宮内 邦裕, 曽根 逸人, Yin You 日本結晶成長学会誌 31 (3), 123-, 2004
We have proposed and demonstrated a memory transistor that has two functions of nonvolatile memorizing and electron current controlling (switching) using phase change (PC) and nanometer size …
Ilan Bloom, Roy Livneh, Assaf Shappir 日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation (808) 119-128, 2001-11-05
...複数の有識者が登壇し，激論が交わされた2001年8月の不揮発性メモリ国際会議「NVSMW」のパネル・セッションで，その座を勝ち取ったのはMRAMでも相変化メモリでもなかった。イスラエルSaifun Semiconductors Ltd．が開発した「NROM」と呼ばれる新型フラッシュEEPROMだ。...