山本 将博, 内山 隆司, 宮島 司, 本田 洋介, 松葉 俊哉, 佐藤 康太郎, 齊藤 芳男, 小林 正典, 栗巣 普揮, 羽島 良一, 永井 良治, 西森 信行, 栗木 雅夫, 飯島 北斗, 久保 大輔, 中西 彊, 奥見 正治, 桑原 真人
表面科学学術講演会要旨集
30
(0),
92-92,
2010
次世代放射光源用加速器に用いるための負の電子親和性(NEA)表面の半導体光陰極を用いる500kV電子源の開発を進めている。カソード表面へダメージを与える主要因となる「残留ガスとビームの衝突により発生するイオンのカソードへの逆流」の問題を緩和するため極高真空が不可欠であり、装置自身からのガス放出速度を低く抑える事が重要である。そこで我々はチタン材で電子銃容器を製作し、セラミックに関しても耐電圧特性…
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