検索結果を絞り込む

データ種別

論文 29

本文・本体へのリンク

本文・本体リンクあり 29

〜

検索結果 29 件

  • 1 / 1

  • 広面積GaN単結晶基板に適用可能な転位分類・評価技術の開発

    姚 永昭, 石川 由加里, 菅原 義弘, 横江 大作, 須藤 正喜, 岡田 成仁, 只友 一行 表面科学学術講演会要旨集 36 (0), 400-, 2016

    GaN単結晶における種々の貫通転位（刃状、らせんおよび混合転位）を全て検出・分類する技術が結晶成長や素子不良解析に重要である。しかし、広い面積（インチ・スケール）にも適用可能なGaN転位分類技術はなかった。本研究では、強い酸化剤Na2O2を添加した溶融KOHを用いたエッチピット法で、GaN単結晶の貫通転位の検出・分類について検討した。その結果をCLマッピングで得た転位のキャリア再結合強度と比較し…

    DOI

  • A面n型4H-SiCエピタキシャル層中の基底面転位の電子線励起による拡張の観察および構造解析

    須藤 正喜, 姚 永昭, 菅原 義弘, 石川 由加里, 加藤 正史 表面科学学術講演会要旨集 36 (0), 399-, 2016

    SiCトレンチ型バイポーラデバイスにおいて酸化膜/(11-20)界面近傍の基底面転位の挙動を観察し、その構造を明らかにすることはトレンチ型デバイスの信頼性を向上する上で重要である。本研究では(11-20)A面のn型4H-SiCにおいて電子線誘起電流法、カソードルミネッセンス測定を行うことにより転位と積層欠陥の観察を行い、透過型電子顕微鏡による構造解析を行った。

    DOI

  • Si基板上に歪層超格子を介して成長したGaN結晶内における転位反応

    菅原 義弘, 石川 由加里, 渡辺 新, 三好 実人, 江川 孝志 表面科学学術講演会要旨集 36 (0), 33-, 2016

    MOCVDによりSi(111)基板上にAlGaN/AlN歪層超格子を介して形成した厚さ1ミクロンのGaN層内の転位構造を透過電子顕微鏡により解析した。2種類の転位反応が観察され、一つは転位の合成とともに一部の変位成分が対消滅するケースであり、もう一つは転位の合成によりノードを形成するケースであった。これらの転位構造から結晶成長時の高い温度域において形成されたものと考えられる。

    DOI

  • Si(111)基板上にAlGaN/AlN歪層超格子を介して形成したGaN層の転位解析

    菅原 義弘, 石川 由加里, 渡辺 新, 三好 実人, 江川 孝志 表面科学学術講演会要旨集 35 (0), 62-, 2015

    横型MOCVD炉を用いてSi(111)基板上にAlGaN/AlN歪層超格子(SLS)を介して形成した厚さ1mmのGaN層内の転位を透過型電子顕微鏡(TEM)により評価した。GaN層の転位密度は、SLSとの界面直上から表面近傍に向かって減少するが、これはウィークビーム暗視野像観察により転位の対消滅と合成が原因であることが強く示唆された。

    DOI

  • Na2O2を添加した溶融KOHエッチングおよびカソードルミネッセンス・マッピングによるHVPE法GaN単結晶の転位評価

    姚 永昭, 石川 由加里, 菅原 義弘, 横江 大作, 須藤 正喜, 岡田 成仁, 只友 一行 表面科学学術講演会要旨集 35 (0), 61-, 2015

    GaN単結晶の転位を検出・分類する低コストかつ広い面積に実施可能な化学エッチング法は強く求められている。従来のエッチング法では、エッチピットの形成が試料成長方法やドーピングに強く依存するため、転位種の判別が難しいという問題がある。本研究では、強い酸化剤であるNa<sub>2</sub>O<sub>2</sub>を添加した溶融KOHエッチングを用い、HVPE法GaN単結晶の貫通転位の検出・分類に成…

    DOI

  • Si染み出し現象を利用した反応焼結法によるSi含浸SiCセラミックスの接合

    井出 貴之, 日向 秀樹, 北 英紀, クレイグ フィッシャー, 菅原 義弘, 北岡 諭, 安藤 正美 日本セラミックス協会　年会・秋季シンポジウム 講演予稿集 2012S (0), 387-387, 2012

    液晶や半導体製造装置には大型のセラミックス部材が用いられているが、生産性向上のため更なる大型化や、軽量化と高剛性化（高比剛性化）が求められている。これらの要求に応えていくには形状付与の自由度を高める必要があるが、従来の一体型のセラミックス成形技術では対応が困難である。そのため、高機能化された小型の精密ブロックを作製し、それらを立体的に組み上げ、高効率で接合・一体化することで、大型・複雑形状・精密…

    DOI

  • B，C 添加非晶質Si－SiC 接合体のMD シミュレーション

    フィッシャー クレイグ, 菅原 義弘, 北岡 諭, 井出 貴之, 日向 秀樹, 北 英紀, 安藤 正美 日本セラミックス協会　年会・秋季シンポジウム 講演予稿集 2012S (0), 388-388, 2012

    接合界面構造形成に及ぼすB4C 添加効果解明の一環として、BやCを添加した非晶質SiとSiCから構成されたモデル接合体を作成し、分子動力学計算により原子レベルの解析を実施した．a-SiおよびSiCの中の共有結合を再現するため、Tersoffポテンシャル関数を用いた．6H-SiC(0001), 6H-SiC(2-1-10)または3C-SiC(001)の結晶から作成したモデルを300～1700Kまで…

    DOI

  • チタニア材料表面の花弁状表面修飾

    長谷川 丈二, 金森 主祥, 中西 和樹, 菅原 義弘, 幾原 雄一 日本セラミックス協会　年会・秋季シンポジウム 講演予稿集 2012S (0), 64-64, 2012

    n型半導体性や光触媒機能を有しているチタニア(TiO<SUB>2</SUB>)は、様々な分野で応用されている非常に有用な物質であり、多種多様な形態を有するチタニア材料が作製されている。ゾル－ゲル法は、チタニア材料を作製する有用な方法の一つとして有用であり、粒子や薄膜など様々なチタニア材料の作製に用いられてきた。しかし、チタニア材料は非常に高い化学的安定性を有しており、後処理により一度作製したチタ…

    DOI

  • 酸化物薄膜／バッファ層界面の原子構造とエネルギー

    大場 史康, 菅原 義弘, 平山 司, 長谷川 勝哉, 和泉 輝郎, 塩原 融, 山本 剛久, 幾原 雄一 日本セラミックス協会　年会・秋季シンポジウム 講演予稿集 2004F (0), 581-581, 2004

    第一原理計算と透過型電子顕微鏡観察によりSmBa<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>y</sub>薄膜／BaZrO<sub>3</sub>バッファ層界面の原子構造とエネルギーをバッファ層の無いSmBa<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>y</sub>薄膜／MgO基板界面と比較して評価した．その結果，バッファ層の有効性は，薄膜／バッファ層界面…

    DOI

  • 1 / 1
ページトップへ