低しきい値,基本横モード発振InGaAsP/InP(λ=1.3μm)半導体レーザの開発に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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低しきい値,基本横モード発振InGaAsP/InP(λ=1.3μm)半導体レーザの開発に関する研究
- 著者名
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大村, 悦司
- 著者別名
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オオムラ, エツジ
- 学位授与大学
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大阪大学
- 取得学位
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工学博士
- 学位授与番号
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乙第3572号
- 学位授与年月日
-
1985-03-04
注記・抄録
博士論文
低しきい値,基本横モード発振InGaAsP/InP(λ=1.3μm)半導体レーザの開発に関する研究
大村, 悦司
オオムラ, エツジ
大阪大学
工学博士
乙第3572号
1985-03-04
博士論文