Study of electron-beam exposure (EBE) and epitaxy of GaAs films on CaF[2]/Si structures EBEエピタキシーによるCaF[2]/Si構造上のGaAs膜の形成に関する研究

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著者

    • 李, 煕哲 イ, ヒチェル

書誌事項

タイトル

Study of electron-beam exposure (EBE) and epitaxy of GaAs films on CaF[2]/Si structures

タイトル別名

EBEエピタキシーによるCaF[2]/Si構造上のGaAs膜の形成に関する研究

著者名

李, 煕哲

著者別名

イ, ヒチェル

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第2094号

学位授与年月日

1989-03-26

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000060214
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000060371
  • NDL書誌ID
    • 000000224528
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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