A study of homoepitaxial growth on the clean and metal covered surfaces of germanium and silicon Ge,Siの清浄表面及び金属吸着表面上のホモエピタクシャル成長の研究

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著者

    • 福谷, 克之 フクタニ, カツユキ

書誌事項

タイトル

A study of homoepitaxial growth on the clean and metal covered surfaces of germanium and silicon

タイトル別名

Ge,Siの清浄表面及び金属吸着表面上のホモエピタクシャル成長の研究

著者名

福谷, 克之

著者別名

フクタニ, カツユキ

学位授与大学

東京大学

取得学位

理学博士

学位授与番号

甲第8431号

学位授与年月日

1990-03-29

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 (4コマ目)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000070942
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000071131
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000235256
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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