半導体のヘテロ接合に関する研究 handotai no hetero setsugo ni kansuru kenkyu

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著者

    • 石塚, 史成 イシズカ, フミシゲ

書誌事項

タイトル

半導体のヘテロ接合に関する研究

タイトル別名

handotai no hetero setsugo ni kansuru kenkyu

著者名

石塚, 史成

著者別名

イシズカ, フミシゲ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第849号

学位授与年月日

1990-10-18

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 半導体のヘテロ接合 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 研究の目的と論文の概要 / p5 (0009.jp2)
  5. 第2章 化合物半導体薄膜の成長 / p8 (0013.jp2)
  6. 2.1 スパッタ法による膜形成 / p8 (0013.jp2)
  7. 2.2 スパッタ法によるGaP薄膜の成長 / p16 (0021.jp2)
  8. 2.3 GaP膜の評価とヘテロ接合の電気的性質 / p20 (0025.jp2)
  9. 2.4 スパッタイオンの検出 / p34 (0039.jp2)
  10. 2.5 イオンビーム・スパッタ法によるGaP膜の成長 / p40 (0045.jp2)
  11. 第3章 ヘテロ界面の格子の変形と基板の変形 / p47 (0053.jp2)
  12. 3.1 基板変形の既往の研究 / p47 (0053.jp2)
  13. 3.2 GaP基板へのSi膜の成長 / p49 (0055.jp2)
  14. 3.3 X線トポグラフによる観察 / p50 (0056.jp2)
  15. 3.4 基板の格子変形 / p58 (0064.jp2)
  16. 3.5 エピタキシャル膜の格子変形 / p69 (0075.jp2)
  17. 3.6 ヘテロ構造における格子の変形 / p75 (0081.jp2)
  18. 第4章 ヘテロ接合のデバイスへの応用 / p78 (0085.jp2)
  19. 4.1 ヘテロバイポーラ・トランジスタ / p79 (0086.jp2)
  20. 4.2 Ge/GaAsヘテロ接合 / p81 (0088.jp2)
  21. 4.3 Si/GaPヘテロ接合 / p94 (0101.jp2)
  22. 4.4 Bイオンによる活性領域の制限 / p100 (0107.jp2)
  23. 4.5 ヘテロ接合の特性 / p104 (0111.jp2)
  24. 第5章 結論 / p106 (0114.jp2)
  25. 5.1 研究成果の総括 / p106 (0114.jp2)
  26. 5.2 問題点と将来への展望 / p107 (0115.jp2)
  27. 謝辞 / p109 (0117.jp2)
  28. 業績 / p110 (0118.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000076586
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000076789
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000240900
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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