VLSI用Si単結晶層の形成と欠陥制御
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著者
書誌事項
- タイトル
-
VLSI用Si単結晶層の形成と欠陥制御
- 著者名
-
釘宮, 公一
- 著者別名
-
クギミヤ, コウイチ
- 学位授与大学
-
東京工業大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
乙第2054号
- 学位授与年月日
-
1990-04-30
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文目録 / (0002.jp2)
- 目次 / (0004.jp2)
- 第1章「序論」 / p1 (0005.jp2)
- 1-1 はじめに / p1 (0005.jp2)
- 1-2 本研究の目的と意義 / p2 (0006.jp2)
- 1-3 本研究の進め方 / p3 (0006.jp2)
- 第2章「魔鏡を用いたバルクSiウエハ表面の評価」 / p5 (0007.jp2)
- 2-1 はじめに / p5 (0007.jp2)
- 2-2 魔鏡の原理及び装置 / p7 (0008.jp2)
- 2-3 魔鏡装置の感度及び他の光学的方法との対比 / p10 (0010.jp2)
- 2-4 Siウエハの表面評価及び解析 / p15 (0012.jp2)
- 2-5 まとめ / p21 (0015.jp2)
- 第3章「Siウエハ表面無欠陥層の形成と評価」 / p24 (0017.jp2)
- 3-1 はじめに / p24 (0017.jp2)
- 3-2 Intrinsic Gettering / p26 (0018.jp2)
- 3-3 Extrinsic Gettering / p38 (0024.jp2)
- 3-4 テストデバイスの評価 / p45 (0027.jp2)
- 3-5 Intrinsic Gettering 及び Extrinsic Gettering のまとめ / p46 (0028.jp2)
- 第4章「レーザビーム照射による結晶成長と評価」 / p50 (0030.jp2)
- 4-1 はじめに / p50 (0030.jp2)
- 4-2 レーザアニール装置 / p54 (0032.jp2)
- 4-3 実験方法 / p54 (0032.jp2)
- 4-4 実験結果及び考察 / p57 (0033.jp2)
- 4-5 二層単結晶島構造の形成 / p72 (0041.jp2)
- 4-6 単結晶島の結晶性評価:MOSトランジスタの電気特性 / p74 (0042.jp2)
- 4-7 まとめ / p77 (0043.jp2)
- 第5章「電子ビーム照射による結晶成長と評価」 / p79 (0044.jp2)
- 5-1 はじめに / p79 (0044.jp2)
- 5-2 電子ビーム照射装置 / p80 (0045.jp2)
- 5-3 実験結果及び考察 / p84 (0047.jp2)
- 5-4 まとめ / p88 (0049.jp2)
- 第6章「水素アニール法によるCVD多結晶シリコンの単結晶化」 / p89 (0049.jp2)
- 6-1 はじめに / p89 (0049.jp2)
- 6-2 実験方法 / p89 (0049.jp2)
- 6-3 実験結果及び考察 / p90 (0050.jp2)
- 6-4 まとめ / p97 (0053.jp2)
- 第7章「MBE結晶成長と連続Siビーム照射による欠陥制御」 / p98 (0054.jp2)
- 7-1 はじめに / p98 (0054.jp2)
- 7-2 実験方法 / p98 (0054.jp2)
- 7-3 実験結果及び考察 / p101 (0055.jp2)
- 7-4 不純物ドーピングにおける結晶欠陥 / p112 (0061.jp2)
- 7-5 まとめ / p114 (0062.jp2)
- 第8章「結論」 / p117 (0063.jp2)
- 8-1 研究目標の集約と研究開始時点の開発概要 / p117 (0063.jp2)
- 8-2 研究成果のまとめ / p117 (0063.jp2)
- 8-3 今後の課題 / p119 (0064.jp2)
- 謝辞 / p120 (0065.jp2)
- 付録1 「シリコン中の酸素の赤外吸収による測定」 / p121 (0065.jp2)
- 付録2 「短時間アニーリング」 / p124 (0067.jp2)
- 付録3 「レーザアニールによる多結晶シリコン中の不純物の活性化」 / p128 (0069.jp2)
- 付録4 「魔鏡による熱処理工程のモニター例」 / p130 (0070.jp2)
- 本研究に関する主たる業績のー覧表 / p133 (0071.jp2)
- 半導体装置及びプロセスに関する研究業績の一覧表 / p135 (0072.jp2)