有機金属を原料としたGaAs,AlGaAsエピタキシャル成長結晶の高純度化に関する研究

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著者

    • 木村, 康三 キムラ, コウゾウ

書誌事項

タイトル

有機金属を原料としたGaAs,AlGaAsエピタキシャル成長結晶の高純度化に関する研究

著者名

木村, 康三

著者別名

キムラ, コウゾウ

学位授与大学

神戸大学

取得学位

学術博士

学位授与番号

乙第1543号

学位授与年月日

1991-04-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. [目次] / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 1-1.薄膜成長技術 / p1 (0004.jp2)
  4. 1-2.本研究の意義 / p4 (0006.jp2)
  5. 参考文献 / p6 (0007.jp2)
  6. 第2章 トリエチルガリウムを原料とした減圧OMVPE法によるアンドープGaAsエピタキシャル成長 / p7 (0007.jp2)
  7. 2-1.序 / p7 (0007.jp2)
  8. 2-2.実験方法 / p8 (0008.jp2)
  9. 2-3.実験結果および考察 / p11 (0009.jp2)
  10. 2-4.結論 / p22 (0015.jp2)
  11. 参考文献 / p23 (0015.jp2)
  12. 第3章 トリエチルガリウムと金属砒素を原料とするガスソースMBE法による高純度GaAsエピタキシャル層の成長 / p25 (0016.jp2)
  13. 3-1.序 / p25 (0016.jp2)
  14. 3-2.実験方法 / p26 (0017.jp2)
  15. 3-3.実験結果および考察 / p28 (0018.jp2)
  16. 3-4.結論 / p40 (0024.jp2)
  17. 参考文献 / p42 (0025.jp2)
  18. 第4章 トリエチルガリウムとアルシンを原料とするガスソースMBE法による高純度GaAsエピタキシャル層の成長 / p45 (0026.jp2)
  19. 4-1.序 / p45 (0026.jp2)
  20. 4-2.実験方法 / p46 (0027.jp2)
  21. 4-3.実験結果および考察 / p49 (0028.jp2)
  22. 4-4.結論 / p57 (0032.jp2)
  23. 参考文献 / p59 (0033.jp2)
  24. 第5章 ガスソースMBE成長GaAsのSiドープによる電子濃度制御とエキシマレーザー照射効果 / p61 (0034.jp2)
  25. 5-1.序 / p61 (0034.jp2)
  26. 5-2.実験方法 / p62 (0035.jp2)
  27. 5-3.実験結果および考察 / p64 (0036.jp2)
  28. 5-4.結論 / p77 (0042.jp2)
  29. 参考文献 / p78 (0043.jp2)
  30. 第6章 トリエチルアルミニウムを原料としたガスソースMBE法によるA1GaAsエピタキシャル層の成長 / p81 (0044.jp2)
  31. 6-1.序 / p81 (0044.jp2)
  32. 6-2.実験方法 / p82 (0045.jp2)
  33. 6-3.実験結果および考察 / p83 (0045.jp2)
  34. 6-4.結論 / p87 (0047.jp2)
  35. 参考文献 / p89 (0048.jp2)
  36. 第7章 総括 / p91 (0049.jp2)
  37. 〔研究業績〕 / p99 (0053.jp2)
  38. 〔謝辞〕 / p103 (0055.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000079405
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000079609
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000243719
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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