微細CMOSデバイスの動作限界に関する研究

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著者

    • 青木, 正明 アオキ, マサアキ

書誌事項

タイトル

微細CMOSデバイスの動作限界に関する研究

著者名

青木, 正明

著者別名

アオキ, マサアキ

学位授与大学

慶應義塾大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第2368号

学位授与年月日

1991-06-05

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. 論文要旨 / (0007.jp2)
  3. 目次 / p1 (0008.jp2)
  4. 第1章 序論 / p1 (0011.jp2)
  5. 1.1 研究の背景 / p1 (0011.jp2)
  6. 1.2 本論文の目的と構成 / p7 (0014.jp2)
  7. 参考文献 / p11 (0016.jp2)
  8. 第2章 微細CM0SデバイスとCMOS LSIの動作限界 / p13 (0017.jp2)
  9. 2.1 緒言 / p13 (0017.jp2)
  10. 2.2 CMOSデバイスの基本構造と動作 / p13 (0017.jp2)
  11. 2.3 MOSトランジスタの短チャネル効果と比例縮小則 / p17 (0019.jp2)
  12. 2.4 高電界効果による限界 / p22 (0022.jp2)
  13. 2.5 定電界比例縮小時の限界 / p23 (0022.jp2)
  14. 2.6 雑音による限界 / p27 (0024.jp2)
  15. 2.7 微細CMOSデバイスにおけるその他の限界 / p30 (0026.jp2)
  16. 2.8 CMOS ULSIチップの限界 / p31 (0026.jp2)
  17. 2.9 結論 / p35 (0028.jp2)
  18. 参考文献 / p37 (0029.jp2)
  19. 第3章 高電界効果による動作限界 / p39 (0030.jp2)
  20. 3.1 緒言 / p39 (0030.jp2)
  21. 3.2 高電界下の移動度特性と速度飽和 / p39 (0030.jp2)
  22. 3.3 LDD構造デバイスにおけるホットキャリア効果 / p46 (0034.jp2)
  23. 3.4 結論 / p68 (0045.jp2)
  24. 参考文献 / p69 (0045.jp2)
  25. 第4章 雑音による動作限界 / p73 (0047.jp2)
  26. 4.1 緒言 / p73 (0047.jp2)
  27. 4.2 1/f雑音 / p73 (0047.jp2)
  28. 4.3 アルファ粒子による雑音電荷の生成とソフトエラー / p98 (0060.jp2)
  29. 4.4 結論 / p119 (0070.jp2)
  30. 参考文献 / p120 (0071.jp2)
  31. 第5章 熱エネルギーによる動作限界 / p125 (0073.jp2)
  32. 5.1 緒言 / p125 (0073.jp2)
  33. 5.2 熱エネルギーkTによる限界とCM0Sデバイスの低温動作 / p125 (0073.jp2)
  34. 5.3 低温CMOSデバイス技術 / p140 (0081.jp2)
  35. 5.4 結論 / p174 (0098.jp2)
  36. 参考文献 / p175 (0098.jp2)
  37. 第6章 総括 / p179 (0100.jp2)
  38. 付録 / p184 (0103.jp2)
  39. 謝辞 / p197 (0109.jp2)
  40. 著者論文と学会発表一覧 / p198 (0110.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000082503
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000082711
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000246817
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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