The first-principles study of the ground state structure and order-disorder transition of Si(001) clean surface Si(001)清浄表面の基底状態における構造と秩序無秩序転移の第一原理的手法による研究

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著者

    • 井上, 耕一郎 イノウエ, コウイチロウ

書誌事項

タイトル

The first-principles study of the ground state structure and order-disorder transition of Si(001) clean surface

タイトル別名

Si(001)清浄表面の基底状態における構造と秩序無秩序転移の第一原理的手法による研究

著者名

井上, 耕一郎

著者別名

イノウエ, コウイチロウ

学位授与大学

九州大学

取得学位

博士 (理学)

学位授与番号

甲第3043号

学位授与年月日

1993-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. Contents / p1 (0003.jp2)
  2. 1 Introduction / p2 (0004.jp2)
  3. 2 Optimum structure at zero temperature. / p8 (0010.jp2)
  4. 2.1 The first-principles molecular dynamics method / p8 (0010.jp2)
  5. 2.2 Calculated system and prescription for the calculations. / p15 (0017.jp2)
  6. 2.3 The results and discussion. / p19 (0021.jp2)
  7. 3 Monte Carlo simulation of order-disorder phase transition on Si(OOl) clean surface. / p30 (0032.jp2)
  8. 3.1 Model for the motion of asymmetric dimer. / p30 (0032.jp2)
  9. 3.2 The results and discussion. / p35 (0037.jp2)
  10. 4 Summary / p39 (0041.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000093217
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000093443
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000257531
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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