反応性イオンエッチングによるシリコン表面の電気的損傷に関する研究

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著者

    • 浅井, 明 アサイ, アキラ

書誌事項

タイトル

反応性イオンエッチングによるシリコン表面の電気的損傷に関する研究

著者名

浅井, 明

著者別名

アサイ, アキラ

学位授与大学

同志社大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第40号

学位授与年月日

1993-03-21

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0007.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0008.jp2)
  3. 1-1 DRAMの構造と動作機構 / p2 (0009.jp2)
  4. 1-2 スタック型メモリ・セル製造プロセス / p5 (0010.jp2)
  5. 1-3 ドライ・エッチングの種類と機構 / p11 (0013.jp2)
  6. 1-4 ドライ・エッチングの問題点 / p19 (0017.jp2)
  7. 1-5 ドライ・エッチングによる損傷とその歴史的背景 / p20 (0018.jp2)
  8. 1-6 研究の目的と論文の構成 / p24 (0020.jp2)
  9. 第2章 半導体デバイスの基礎理論 / p26 (0021.jp2)
  10. 2-1 ショットキー・ダイオード / p26 (0021.jp2)
  11. 2-2 ショックレー・リード・ホール(SRH)統計 / p34 (0025.jp2)
  12. 第3章 I-V特性による損傷評価 / p48 (0032.jp2)
  13. 3-1 RIEによる損傷のI-V特性への影響 / p49 (0032.jp2)
  14. 3-2 Au/n-Siショットキー・ダイオードのI-V特性を用いた評価 / p49 (0032.jp2)
  15. 3-3 Au/p-Siショットキー・ダイオードのI-V特性を用いた評価 / p61 (0038.jp2)
  16. 3-4 I-V特性を用いた評価のまとめ / p68 (0042.jp2)
  17. 第4章 DLTS法による損傷評価 / p69 (0042.jp2)
  18. 4-1 Au/n-Siショットキー・ダイオードのDLTS法による評価 / p69 (0042.jp2)
  19. 4-2 Au/p-Siショットキー・ダイオードのDLTS法による評価 / p84 (0050.jp2)
  20. 4-3 RIEによる損傷層に含まれる深い準位 / p94 (0055.jp2)
  21. 第5章 誘導性サセプタンスによる損傷評価 / p96 (0056.jp2)
  22. 5-1 試料製作と測定方法 / p96 (0056.jp2)
  23. 5-2 I-V特性 / p99 (0057.jp2)
  24. 5-3 Y-f特性 / p99 (0057.jp2)
  25. 5-4 誘導性サセプタンスと再結合電流 / p105 (0060.jp2)
  26. 5-5 誘導性および容量性のサセプタンス / p106 (0061.jp2)
  27. 5-6 直流コンダクタンス / p107 (0061.jp2)
  28. 5-7 誘導性サセプタンスの解析 / p108 (0062.jp2)
  29. 5-8 アニールの効果 / p109 (0062.jp2)
  30. 5-9 まとめ / p112 (0064.jp2)
  31. 第6章 結言 / p113 (0064.jp2)
  32. 謝辞 / p116 (0066.jp2)
  33. 付録A / p117 (0066.jp2)
  34. 付録B / p120 (0068.jp2)
  35. 付録C / p124 (0070.jp2)
  36. 付録D / p127 (0071.jp2)
  37. 参考文献 / p133 (0074.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000095645
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000095871
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000259959
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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