非接触・非破壊法によるシリコン中の結晶欠陥評価に関する研究

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著者

    • 片山, 健一 カタヤマ, ケンイチ

書誌事項

タイトル

非接触・非破壊法によるシリコン中の結晶欠陥評価に関する研究

著者名

片山, 健一

著者別名

カタヤマ, ケンイチ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第6034号

学位授与年月日

1993-07-26

注記・抄録

博士論文

10892

博士(工学)

1993-07-26

大阪大学

14401乙第06034号

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 緒論 / p1 (0006.jp2)
  3. 第1章 測定法の概要 / p9 (0010.jp2)
  4. 1.1 緒言 / p10 (0011.jp2)
  5. 1.2 光散乱トモグラフ法(LST) / p11 (0011.jp2)
  6. 1.3 シンクロトロン(SR)セクショントポグラフィー / p20 (0016.jp2)
  7. 1.4 レーザマイクロウエーブ光導伝率法(LM-PC) / p28 (0020.jp2)
  8. 1.5 結言 / p57 (0034.jp2)
  9. 参考文献(第1章) / p58 (0035.jp2)
  10. 第2章 光散乱トモグラフィー(LST)によるシリコン中の結晶欠陥評価 / p61 (0036.jp2)
  11. 2.1 緒言 / p62 (0037.jp2)
  12. 2.2 Si結晶中での酸素不純物の性質 / p63 (0037.jp2)
  13. 2.3 LSTにより得られる数値データの信頼性 / p70 (0041.jp2)
  14. 2.4 LST法とシンクロトロン(SR)セクショントポグラフ法における結晶欠陥イメージ及び密度の比較 / p78 (0045.jp2)
  15. 2.5 アズグロウン結晶中に認められる結晶欠陥の評価 / p97 (0054.jp2)
  16. 2.6 結言 / p106 (0059.jp2)
  17. 参考文献(第2章) / p107 (0059.jp2)
  18. 第3章 キャリヤーライフタイムに及ぼす紫外線照射効果 / p109 (0060.jp2)
  19. 3.1 緒言 / p110 (0061.jp2)
  20. 3.2 自然酸化膜で覆われたウエーハに対する紫外線照射効果 / p111 (0061.jp2)
  21. 3.3 紫外線照射後のライフタイムの回復現象 / p118 (0065.jp2)
  22. 3.4 ライフフタイムヘの紫外線照射効果に対する理論的背景 / p125 (0068.jp2)
  23. 3.5 紫外線照射効果のメカニズム(自然酸化膜のケース) / p132 (0072.jp2)
  24. 3.6 熱酸化されたシリコンウエーハに対する紫外線照射効果 / p145 (0078.jp2)
  25. 3.7 結言 / p152 (0082.jp2)
  26. 参考文献(第3章) / p153 (0082.jp2)
  27. 第4章 LM-PC法によるキャリアートラップレベルの評価 / p155 (0083.jp2)
  28. 4.1 緒言 / p156 (0084.jp2)
  29. 4.2 シリコンウエーハ表面に起因したキャリアートラップの評価 / p157 (0084.jp2)
  30. 4.3 バルク中に存在する結晶欠陥に起因するトラップレベルの評価 / p166 (0089.jp2)
  31. 4.4 イントリンシックゲッタリングプロセス中に生成する格子欠陥の評価 / p177 (0094.jp2)
  32. 4.5 結言 / p198 (0105.jp2)
  33. 参考文献(第4章) / p199 (0105.jp2)
  34. 結論 / p203 (0107.jp2)
  35. 謝辞 / p207 (0109.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000099499
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000099729
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000263813
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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