窒化アルミニウムセラミックスパッケージの基板と金属薄膜との界面現象に関する研究 窒化 アルミニウム セラミックス パッケージ 基板 金属 薄膜 界面 現象
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著者
書誌事項
- タイトル
-
窒化アルミニウムセラミックスパッケージの基板と金属薄膜との界面現象に関する研究
- タイトル別名
-
窒化 アルミニウム セラミックス パッケージ 基板 金属 薄膜 界面 現象
- 著者名
-
安本, 恭章
- 著者別名
-
ヤスモト, タカアキ
- 学位授与大学
-
東京工業大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
甲第3368号
- 学位授与年月日
-
1996-12-31
注記・抄録
博士論文
identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50348357
目次
- 論文目録 / (0002.jp2)
- 目次 / (0005.jp2)
- 第1章:緒言 / p1 (0007.jp2)
- 1.1:研究の背景と目的 / p1 (0007.jp2)
- 1.2:既往の研究 / p2 (0007.jp2)
- 1.3:まとめ / p9 (0011.jp2)
- 参考文献 / p9 (0011.jp2)
- 図表 / p12 (0012.jp2)
- 第2章:AℓN基板と金属薄膜との界面における熱処理反応 / p29 (0021.jp2)
- 2.1:はじめに / p29 (0021.jp2)
- 2.2:実験方法 / p29 (0021.jp2)
- 2.3:結果と考察 / p30 (0021.jp2)
- 2.4:まとめ / p36 (0024.jp2)
- 参考文献 / p36 (0024.jp2)
- 図表 / p37 (0025.jp2)
- 第3章:AℓN基板と金属薄膜との界面層の形成とその構造 / p57 (0035.jp2)
- 3.1:はじめに / p57 (0035.jp2)
- 3.2:実験方法 / p57 (0035.jp2)
- 3.3:AℓN基板とTiとの界面構造 / p57 (0035.jp2)
- 3.4:TiAℓ₃層形成のメカニズム / p59 (0036.jp2)
- 3.5:まとめ / p60 (0036.jp2)
- 参考文献 / p60 (0036.jp2)
- 図表 / p61 (0037.jp2)
- 第4章:アニール前後のAℓN基板と金属薄膜との界面の光電子分光による化学状態の観察 / p74 (0043.jp2)
- 4.1:はじめに / p74 (0043.jp2)
- 4.2:実験方法 / p74 (0043.jp2)
- 4.3:結果と考察 / p75 (0044.jp2)
- 4.4:まとめ / p80 (0046.jp2)
- 参考文献 / p80 (0046.jp2)
- 図表 / p81 (0047.jp2)
- 第5章:AℓN基板とTi薄膜との界面におけるTi₂ AℓNエピタキシャル層の形成 / p98 (0055.jp2)
- 5.1:はじめに / p98 (0055.jp2)
- 5.2:実験方法 / p98 (0055.jp2)
- 5.3:結果と考察 / p98 (0055.jp2)
- 5.4:まとめ / p101 (0057.jp2)
- 参考文献 / p102 (0057.jp2)
- 図表 / p103 (0058.jp2)
- 第6章:エッチングによるTi薄膜除去後のAℓN基板表面の電気抵抗変化 / p120 (0066.jp2)
- 6.1:はじめに / p120 (0066.jp2)
- 6.2:実験方法 / p120 (0066.jp2)
- 6.3:結果と考察 / p121 (0067.jp2)
- 6.4:まとめ / p125 (0069.jp2)
- 参考文献 / p125 (0069.jp2)
- 図表 / p126 (0069.jp2)
- 第7章:AℓN基板表面の耐エッチング性 / p145 (0079.jp2)
- 7.1:はじめに / p145 (0079.jp2)
- 7.2:実験方法 / p145 (0079.jp2)
- 7.3:結果と考察 / p146 (0079.jp2)
- 7.4:まとめ / p150 (0081.jp2)
- 参考文献 / p150 (0081.jp2)
- 図表 / p152 (0082.jp2)
- 第8章:総括と今後の課題 / p180 (0096.jp2)
- 8.1:総括 / p180 (0096.jp2)
- 8.2:今後の課題 / p181 (0097.jp2)
- English abstract / p185 (0099.jp2)
- 本論文に関連した発表論文一覧 / p192 (0102.jp2)
- 謝辞 / p194 (0103.jp2)