分子線エピタキシー法によるPb[1-x]Sn[x]Seの結晶成長に関する研究

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著者

    • 鈴木, 正宣 スズキ, マサノブ

書誌事項

タイトル

分子線エピタキシー法によるPb[1-x]Sn[x]Seの結晶成長に関する研究

著者名

鈴木, 正宣

著者別名

スズキ, マサノブ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

乙第7641号

学位授与年月日

1999-02-10

注記・抄録

博士論文

論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 緒言 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 Pb-Snカルコゲナイドの基礎的性質 / p4 (0009.jp2)
  5. 1.3 Pb-Snカルコゲナイドの結晶成長および技術開発の歴史的概観 / p7 (0012.jp2)
  6. 1.4 本研究の意義と目的 / p17 (0022.jp2)
  7. 1.5 本論文の構成(概要) / p18 (0023.jp2)
  8. 1.6 結言 / p19 (0024.jp2)
  9. 参考文献 / p20 (0025.jp2)
  10. 第2章 MBE法による[化学式]の結晶成長 / p27 (0032.jp2)
  11. 2.1 緒言 / p27 (0032.jp2)
  12. 2.2 分子線エピタキシー / p29 (0034.jp2)
  13. 2.3 エピタキシャル薄膜の結晶性と表面モフォロジー / p53 (0058.jp2)
  14. 2.4 結言 / p90 (0095.jp2)
  15. 参考文献 / p94 (0099.jp2)
  16. 第3章 [化学式]エピクキシャル薄膜の電気的特性 / p96 (0101.jp2)
  17. 3.1 緒言 / p96 (0101.jp2)
  18. 3.2 電気的測定 / p98 (0103.jp2)
  19. 3.3 アンドープ薄膜の電気的特性 / p98 (0103.jp2)
  20. 3.4 不純物添加<ドーピング>薄膜の電気的特性 / p103 (0108.jp2)
  21. 3.5 結言 / p122 (0127.jp2)
  22. 参考文献 / p126 (0131.jp2)
  23. 第4章 [化学式]エピタキシャル薄膜の光学的特性 / p129 (0134.jp2)
  24. 4.1 緒言 / p129 (0134.jp2)
  25. 4.2 光学諸定数の算出法 / p131 (0136.jp2)
  26. 4.3 エピタキシャル薄膜の光学的特性 / p136 (0141.jp2)
  27. 4.4 結言 / p147 (0152.jp2)
  28. 参考文献 / p149 (0154.jp2)
  29. 第5章 結論 / p152 (0157.jp2)
  30. 謝辞 / p157 (0162.jp2)
  31. 付録 / p158 (0163.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000171237
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000171511
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000335551
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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