半導体のプラズマエッチングにおける反応機構

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著者

    • 早坂, 伸夫 ハヤサカ, ノブオ

書誌事項

タイトル

半導体のプラズマエッチングにおける反応機構

著者名

早坂, 伸夫

著者別名

ハヤサカ, ノブオ

学位授与大学

東北大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第3313号

学位授与年月日

1984-03-27

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000041383
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000041457
  • NDL書誌ID
    • 000000205697
  • データ提供元
    • NDL ONLINE

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