分子線エピタキシー法による化合物半導体の結晶成長とガスドーピングの研究 bunshisen epitakishiho ni yoru kagobutsu handotai no kessho seicho to gasu dopingu no kenkyu

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著者

    • 後藤, 秀樹 ゴトウ, ヒデキ

書誌事項

タイトル

分子線エピタキシー法による化合物半導体の結晶成長とガスドーピングの研究

タイトル別名

bunshisen epitakishiho ni yoru kagobutsu handotai no kessho seicho to gasu dopingu no kenkyu

著者名

後藤, 秀樹

著者別名

ゴトウ, ヒデキ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第688号

学位授与年月日

1988-10-13

注記・抄録

博士論文

制度:新 ; 文部省報告番号:乙688号 ; 学位の種類:工学博士 ; 授与年月日:1988-10-13 ; 早大学位記番号:新1458 ; 理工学図書館請求番号:1238

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000056339
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000056479
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000220653
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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