スパッタリング法による立方晶窒化ホウ素の作製
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著者
書誌事項
- タイトル
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スパッタリング法による立方晶窒化ホウ素の作製
- 著者名
-
三重野, 正寛
- 著者別名
-
ミエノ, マサヒロ
- 学位授与大学
-
東京大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
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甲第9033号
- 学位授与年月日
-
1991-03-29
注記・抄録
博士論文
目次
- 博士論文目次 / p1 (0003.jp2)
- 第一章 緒言 / p1 (0005.jp2)
- 第二章 本研究の背景 / p4 (0008.jp2)
- 2.1 窒化ホウ素 / p4 (0008.jp2)
- 2.2 スパッタリングプロセス / p8 (0012.jp2)
- 参考文献 / p20 (0024.jp2)
- 第三章 スパッタリング法によるBN堆積 / p26 (0030.jp2)
- 3.1 スパッタリング法による冷却基板へのBN堆積 / p26 (0030.jp2)
- 3.2 基板中央配置型での基板温度制御効果 / p40 (0044.jp2)
- 3.3 バイアススパッタリング法によるc-BN薄膜合成 / p47 (0051.jp2)
- 参考文献 / p104 (0108.jp2)
- 第四章 総括 / p106 (0110.jp2)
- 参考文献 / p109 (0113.jp2)
- 謝辞 / p110 (0114.jp2)
