走査型容量顕微鏡の開発と半導体ナノスケール評価への応用

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著者

    • 富家, 英登 トミイエ, ヒデト

書誌事項

タイトル

走査型容量顕微鏡の開発と半導体ナノスケール評価への応用

著者名

富家, 英登

著者別名

トミイエ, ヒデト

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第6933号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0011.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p1 (0011.jp2)
  4. 1.2 走査型プローブ顕微鏡 / p4 (0014.jp2)
  5. 1.3 背景 / p7 (0017.jp2)
  6. 1.4 目的 / p9 (0019.jp2)
  7. 1.5 論文内容 / p11 (0021.jp2)
  8. 参考文献 / p13 (0023.jp2)
  9. 第2章 走査型容量顕微鏡(SCaM)の開発 / p15 (0025.jp2)
  10. 2.1 はじめに / p15 (0025.jp2)
  11. 2.2 走査型容量顕微鏡の原理 / p16 (0026.jp2)
  12. 2.3 高感度容量検出の実現 / p25 (0035.jp2)
  13. 2.4 高分解能化 / p34 (0044.jp2)
  14. 2.5 まとめ / p41 (0051.jp2)
  15. 参考文献 / p43 (0053.jp2)
  16. 第3章 SiO₂/Siの評価 / p45 (0055.jp2)
  17. 3.1 はじめに / p45 (0055.jp2)
  18. 3.2 キャリアの注入方法 / p46 (0056.jp2)
  19. 3.3 多数キャリアの注入 / p49 (0059.jp2)
  20. 3.4 少数キャリアの注入 / p57 (0067.jp2)
  21. 3.5 SCaM分解能評価 / p64 (0074.jp2)
  22. 3.6 まとめ / p66 (0076.jp2)
  23. 参考文献 / p67 (0077.jp2)
  24. 第4章 SiO₂/Ion-Implanted Siの評価 / p69 (0079.jp2)
  25. 4.1 はじめに / p69 (0079.jp2)
  26. 4.2 Lateral p-n接合の測定 / p71 (0081.jp2)
  27. 4.3 キャパシタンス像の解析 / p75 (0085.jp2)
  28. 4.4 計算機シミュレーションによる考察 / p89 (0099.jp2)
  29. 4.5 実デバイスの評価 / p102 (0112.jp2)
  30. 4.6 まとめ / p110 (0120.jp2)
  31. 参考文献 / p111 (0121.jp2)
  32. 第5章 総括 / p113 (0123.jp2)
  33. 謝辞 / p117 (0127.jp2)
  34. 補遺A / p119 (0129.jp2)
  35. A.1 測定回路と顕微鏡本体 / p119 (0129.jp2)
  36. A.2 筆者の走査型容量顕微鏡に関する論文 / p121 (0131.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000170952
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000171226
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000335266
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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