Si基板上への気相エピタキシャル成長法による窒化物半導体の結晶成長に関する研究
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Author
Bibliographic Information
- Title
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Si基板上への気相エピタキシャル成長法による窒化物半導体の結晶成長に関する研究
- Author
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本田, 善央
- Author(Another name)
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ホンダ, ヨシオ
- University
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名古屋大学
- Types of degree
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博士 (工学)
- Grant ID
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甲第5847号
- Degree year
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2003-03-25
Note and Description
博士論文
名古屋大学博士学位論文 学位の種類:博士(工学) (課程) 学位授与年月日:平成15年3月25日
