Si基板上への気相エピタキシャル成長法による窒化物半導体の結晶成長に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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Si基板上への気相エピタキシャル成長法による窒化物半導体の結晶成長に関する研究
- 著者名
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本田, 善央
- 著者別名
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ホンダ, ヨシオ
- 学位授与大学
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名古屋大学
- 取得学位
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博士 (工学)
- 学位授与番号
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甲第5847号
- 学位授与年月日
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2003-03-25
注記・抄録
博士論文
名古屋大学博士学位論文 学位の種類:博士(工学) (課程) 学位授与年月日:平成15年3月25日
