Study on the transport mechanism by the localized carriers in GaAs layers grown by molecular beam epitaxy MBE成長GaAs膜における局在キャリアによる伝導機構の研究

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著者

    • 下岸, 史明 シモギシ, フミアキ

書誌事項

タイトル

Study on the transport mechanism by the localized carriers in GaAs layers grown by molecular beam epitaxy

タイトル別名

MBE成長GaAs膜における局在キャリアによる伝導機構の研究

著者名

下岸, 史明

著者別名

シモギシ, フミアキ

学位授与大学

北陸先端科学技術大学院大学

取得学位

博士 (材料科学)

学位授与番号

甲第407号

学位授与年月日

2006-03-22

注記・抄録

博士論文

Supervisor:大塚 信雄

材料科学研究科

博士

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000437324
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000438651
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 000009405313
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
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