高誘電率材料を用いたゲート絶縁膜の作製とその評価に関する研究 A study for fabrication and evaluation of gate dielectric thin films using high-k materials

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著者

    • 長里, 喜隆 ナガサト, ヨシタカ

書誌事項

タイトル

高誘電率材料を用いたゲート絶縁膜の作製とその評価に関する研究

タイトル別名

A study for fabrication and evaluation of gate dielectric thin films using high-k materials

著者名

長里, 喜隆

著者別名

ナガサト, ヨシタカ

学位授与大学

東京農工大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第567号

学位授与年月日

2008-03-25

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000439439
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000440780
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000009440697
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
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