A study on Si surface roughness for 3-dimensional MOSFETs with HfON gate insulator
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著者
書誌事項
- タイトル
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A study on Si surface roughness for 3-dimensional MOSFETs with HfON gate insulator
- 著者名
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HAN, DAEHEE
- 著者名
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Han, DaeHee
- 学位授与大学
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東京工業大学
- 取得学位
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博士(工学)
- 学位授与番号
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甲第9535号
- 学位授与年月日
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2014-03-26
注記・抄録
identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50276535
identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:71136095
目次
- 2021-05-17 再収集 (2コマ目)
