Thyristoren

著者

    • Gerlach, Willi

書誌事項

Thyristoren

von Willi Gerlach

(Halbleiter-Elektronik, Bd. 12)

Springer, 1979

  • : gw
  • : us

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内容説明・目次

巻冊次

: us ISBN 9780387094380

内容説明

Perinatal Epidemiology synthesizes perinatal knowledge through the lens of public health practice. This comprehensive text uses a consistent, logical format to offer readers: (1) A spectrum of topics affecting maternal and infant health: reproductive health concerns, maternal and infant morbidity and mortality, and gestation and fetal growth. (2) Information on timely issues, including infertility, gestational diabetes, preterm delivery, postpartum depression, and SIDS. (3) Detailed discussions of current epidemiological trends, measures and measurement issues, data sources, and risk and protective factors for each condition covered. (4) In-depth consideration of public health interventions and their availability, strengths and limitations. (5) Emerging areas of interest and directions for research. (6) Text boxes, definitions of key terms, discussion questions, appendices, and other helpful features. Perinatal Epidemiology is a valuable, ready resource for public health professionals in maternal and child care, reproduction and fertility. Its accessibility and easy-use format make it an equally strong textbook for courses in these fields as well as for advanced medical and nursing students in OB/GYN and pediatrics.

目次

Chapter 1: Introduction.- Chapter 2: Reproductive Health Issues.- Fertility.- Male and female infertility.- Infertility treatment.- Pregnancy intention.- Legal Induced Abortion.- Contraception.- Preconception care.- Chapter 3: Maternal Morbidity.- Definitions, measures, and measurement issues.- Overall Maternal morbidity.- Antepartum conditions.- Ectopic Pregnancy.- Hyperemesis of pregnancy.- Urinary tract infections.- Gestational diabetes.- Pregnancy-related hypertensive disorders.- Peripartum conditions.- Hemorrhage.- Perineal laceration.- Operative delivery.- Attributes of women with cesarean deliveries.- Postpartum morbidity.- Depression.- Public health interventions and their availability and use.- Primary prevention.- Secondary prevention.- Chapter 4: Maternal Mortality.- Definitions, measures, and measurement issues.- Antepartum mortality.- Postpartum mortality.- Chapter 5: Infant Morbidity.- Definitions, measures, and measurement issues.- Morbidity with shortened gestation and near-term IUGR and sequelae of prematurity.- Developmental Delay/Disabilities.- Infection.- Birth Defects.- Injuries (intentional/unintentional) .- Chapter 6: Fetal and Infant Mortality.- Definitions, measures, data sources, and measurement issues .- Descriptive Epidemiology: Overall mortality .- Early pregnancy loss and spontaneous abortion.- Fetal death.- Infant Mortality.- Infant mortality due to Sudden Infant Death (SIDS) .- Public health interventions, their availability and use.- Chapter 7: Fetal Growth and Gestational Duration.- Chapter 8: Conclusion
巻冊次

: gw ISBN 9783540094388

目次

1 Funktionsprinzip des Thyristors.- 1.1 Ersatzmodell des Thyristors.- 1.2 Schaltkriterium.- 1.3 Zeitverlauf der Stroeme.- 1.4 UEbergang vom Sperr- zum Durchlasszustand.- 1.5 Der stationare Durchlasszustand.- 1.6 Statische Strom-Spannungskennlinien.- 1.7 Ausgezeichnete Kennlinienpunkte.- 1.8 Thyristor-Ersatzmodell und Experiment.- 2 Statisches Verhalten des Thyristors bei Vorwartspolung.- 2.1 Stromloser Zustand.- 2.2 Spannungsaufteilung.- 2.3 Wechselseitige Beeinflussung der pn-UEbergange.- 2.4 Ladungsgleichgewicht.- 2.5 Kennliniengleichung.- 2.6 Ladungstragermultiplikation.- 2.7 Kennlinienkonstruktion.- 2.8 Kennlinienberechnung.- 3 Theorie der Durchlasscharakteristik.- 3.1 Allgemeine Vorbemerkungen.- 3.2 pin-Dioden-Modell.- 3.3 Die verschiedenen Bereiche der Durchlasscharakteristik.- 3.3.1 Bereich 1: Schwache Injektion in beiden Basiszonen.- 3.3.2 Bereich 2: Schwache Injektion in der p-Basis und starke Injektion in der n-Basis.- 3.3.3 Bereich 3: Starke Injektion in beiden Basiszonen.- 4 Sperrvermoegen.- 4.1 Sperrvermoegen in Ruckwartsrichtung.- 4.1.1 Spannungsaufteilung.- 4.1.2 Ruckwartskennlinie.- 4.1.3 Sperrspannungsgrenzen.- 4.1.4 Optimales Sperrvermoegen.- 4.2 Sperrvermoegen in Vorwartsrichtung.- 4.3 Verbesserung der Vorwartssperrfahigkeit durch Emitterkurzschlusse.- 4.4 Einfluss der Halbleiteroberflache auf die Sperrfahigkeit.- 4.4.1 Ideale und reale Halbleiteroberflache.- 4.4.2 Oberflachendurchbruch.- 4.5 Massnahmen zur Verhinderung des Oberflachendurchbruchs.- 4.5.1 Randabschragung.- 4.5.2 Feldbegrenzungsring.- 5 Methoden zur Analyse der Schaltvorgange.- 5.1 Quasistatische Behandlung.- 5.2 Strombilanz bei schnell veranderlichem Strom.- 5.3 UEbergangsfunktion.- 5.4 Frequenzgang.- 5.5 Ladungssteuerungsmodell.- 5.6 Ladungssteuerungsmodell im Vergleich mit den beiden vorhergehenden Analysenmethoden.- 5.7 Loesung der zeitabhangigen Strom- und Kontinuitatsgleichung.- 6 Einschaltverhalten.- 6.1 Qualitative Beschreibung.- 6.1.1 Zundbedingung.- 6.1.2 Aufbau der Speicherladung.- 6.1.3 Strom- und Spannungsverlauf.- 6.2 Berechnung des Einschaltvorganges bei schwacher Injektion in den Basiszonen.- 6.2.1 Problemstellung.- 6.2.2 Loesungsmethode.- 6.2.3 Verlauf von Strom und Tragerdichte fur einen symmetrischen Thyristor.- 6.2.4 Der UEbergang zur stationaren Tragerverteilung.- 6.2.5 Spannungsverlauf wahrend des UEberganges in den stationaren Zustand.- 6.3 Berechnung des Einschaltvorganges bei starker Injektion in der n-Basis.- 6.3.1 Problemstellung.- 6.3.2 Stromverlauf.- 6.3.3 Verlauf der Tragerdichte und der Feldstarke in der n-Basis.- 6.3.4 Spannungsabfall in der n-Basis.- 6.3.5 Einfluss der Basisdicke auf den Spannungsabfall in der n-Basis.- 6.3.6 Der UEbergang in den stationaren Durchlasszustand.- 6.4 Zur Theorie des Einschaltvorganges auf der Basis des Ladungssteuerungsmodells.- 6.5 Auswirkung verschiedener Effekte auf den Einschaltvorgang.- 6.5.1 Stromabhangigkeit der Stromverstarkungsfaktoren.- 6.5.2 Basisweitenmodulation.- 6.5.3 Driftfeld in der Steuerbasis.- 7 Die Steuerstromzundung grossflachiger Thyristoren.- 7.1 Einfuhrung.- 7.2 Primarer Zundbereich.- 7.3 Transiente Ladungstrager- und Potentialverteilung.- 7.4 Ausbreitungsvorgang.- 7.5 Theoretische Modelle der Zundausbreitung.- 7.5.1 Diffusionsmodell.- 7.5.2 Driftmodell.- 7.6 Experimentelle Untersuchung der Zundausbreitung.- 7.6.1 Messmethoden.- 7.6.2 Stromeinfluss.- 7.6.3 Einfluss der Strukturparameter.- 7.7 Auswirkung der Zundausbreitung auf die dynamischen Thyristoreigenschaften.- 7.8 Methoden zur Erhoehung der Einschaltbelastbarkeit.- 7.8.1 Prinzip der Folgezundung.- 7.8.2 Realisierung der Folgezundung.- 7.8.3 Streifengate.- 8 Das Ausschaltverhalten.- 8.1 Einfuhrung.- 8.2 Tragerspeichereffekt.- 8.3 Kenngroessen.- 8.4 Abrupte Stromkommutierung.- 8.5 Berechnung der Schaltzeiten nach dem Ladungssteuermodell.- 8.5.1 Problemstellung.- 8.5.2 Erste Speicherzeit.- 8.5.3 Erste Abfallzeit.- 8.5.4 Zweite Speicherzeit.- 8.5.5 Zweite Abfallzeit.- 8.5.6 Freiwerdezeit.- 8.6 Zur exakten Berechnung des Ausschaltvorgangs.- 8.6.1 Einleitung.- 8.6.2 Problemstellung.- 8.6.3 Loesungsmethode.- 8.6.4 Verlauf der Loecherdichte, allgemein.- 8.6.5 Verlauf der Loecherdichte fur zwei verschiedene Anfangsverteilungen.- 8.6.6 Stromverlauf.- 8.6.7 Vergleich mit den Aussagen des Ladungssteuermodells.- 8.7 Ausraumvorgang bei starker Injektion in beiden Basiszonen.- 8.8 Massnahmen zur Verkurzung der Freiwerdezeit.- 8.8.1 Verkleinerung der Tragerlebensdauer.- 8.8.2 Erhoehung der Emitterkurzschlussstellen.- 8.8.3 Anlegen einer negativen Gatespannung.- 9 Vom Thyristor abgeleitete Bauelemente und spezielle Gate-Konfigurationen.- 9.1 Die bidirektionale Thyristor-Diode (Diac).- 9.2 Gate-Konfigurationen zur Zundung bidirektionaler Thyristoren.- 9.2.1 Allgemeine Anforderungen.- 9.2.2 Das Transistor-Tor.- 9.2.3 Das Sperrschicht-Tor.- 9.2.4 Zundung mit einer Hilfsschicht.- 9.3 Der Bidirektional-Thyristor mit vier Torfunktionen (Triac).- 9.4 Der abschaltbare Thyristor.- 9.4.1 Der zum Abschalten erforderliche Steuerstrom.- 9.4.2 Abschaltverstarkung.- 9.4.3 Abschaltzeiten.- 9.4.4 Verhaltnisse im realen Thyristor.- 9.4.5 Der laterale Abschaltvorgang.- 9.4.6 Gate-Kathodenstruktur.- 9.5 Der lichtzundbare Thyristor.- 9.5.1 Prinzip.- 9.5.2 Spektrale Empfindlichkeit.- 9.5.3 Lichtquellen.- 9.5.4 Optische Zundempfindlichkeit.- 9.5.5 Lichtzundung von Leistungsthyristoren.

「Nielsen BookData」 より

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詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BA36491542
  • ISBN
    • 3540094385
    • 0387094385
  • 出版国コード
    gw
  • タイトル言語コード
    ger
  • 本文言語コード
    ger
  • 出版地
    Berlin
  • ページ数/冊数
    426 p.
  • 大きさ
    23 cm
  • 親書誌ID
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