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III族窒化物半導体

赤崎勇編著

(アドバンストエレクトロニクスシリーズ / 菅野卓雄 [ほか] 監修, カテゴリー1 . エレクトロニクス材料・物性・デバイス||エレクトロニクス ザイリョウ ブッセイ デバイス ; 21)

培風館, 1999.12

タイトル別名

III族窒化物半導体

タイトル読み

IIIゾク チッカブツ ハンドウタイ

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注記

参考文献: 各章末

奥付の責任表示: 赤崎勇編

内容説明・目次

内容説明

本書は、進展著しい3族窒化物半導体について、基礎から応用まで最新の内容をまとめたものである。1編では、3族窒化物半導体の結晶構造やエネルギー帯構造、また光学的・電気的性質など基礎物性を詳述する。2編では、本半導体研究のブレークスルーとなった様々な結晶成長技術について記述する。3編では、各種デバイスへの応用、すなわち発光ダイオード、レーザダイオード、受光デバイス、および電子デバイスなどについて、その構造、特性について詳述している。

目次

  • 第1編 3族窒化物半導体の物性(エネルギー帯構造—結晶構造;機械的性質・熱(力学)的性質;3族窒化物半導体の光学的・電気的特性)
  • 第2編 3族窒化物半導体の結晶成長(結晶成長の熱力学;バルク結晶成長;ハイドライド気相成長—HVPE ほか)
  • 第3編 デバイス各論(発光ダイオード;半導体レーザ;受光デバイス ほか)

「BOOKデータベース」 より

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詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BA44523600
  • ISBN
    • 4563036218
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 出版地
    東京
  • ページ数/冊数
    x, 313p
  • 大きさ
    22cm
  • 分類
  • 件名
  • 親書誌ID
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