III族窒化物半導体
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III族窒化物半導体
（アドバンストエレクトロニクスシリーズ / 菅野卓雄 [ほか] 監修, カテゴリー1 . エレクトロニクス材料・物性・デバイス||エレクトロニクス ザイリョウ ブッセイ デバイス ; 21）
培風館, 1999.12
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III族窒化物半導体
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IIIゾク チッカブツ ハンドウタイ
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Note
参考文献: 各章末
奥付の責任表示: 赤崎勇編
Description and Table of Contents
Description
本書は、進展著しい３族窒化物半導体について、基礎から応用まで最新の内容をまとめたものである。１編では、３族窒化物半導体の結晶構造やエネルギー帯構造、また光学的・電気的性質など基礎物性を詳述する。２編では、本半導体研究のブレークスルーとなった様々な結晶成長技術について記述する。３編では、各種デバイスへの応用、すなわち発光ダイオード、レーザダイオード、受光デバイス、および電子デバイスなどについて、その構造、特性について詳述している。
Table of Contents
- 第１編 ３族窒化物半導体の物性（エネルギー帯構造—結晶構造；機械的性質・熱（力学）的性質；３族窒化物半導体の光学的・電気的特性）
- 第２編 ３族窒化物半導体の結晶成長（結晶成長の熱力学；バルク結晶成長；ハイドライド気相成長—ＨＶＰＥ ほか）
- 第３編 デバイス各論（発光ダイオード；半導体レーザ；受光デバイス ほか）
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