Photoelectric properties and applications of low-mobility semiconductors
著者
書誌事項
Photoelectric properties and applications of low-mobility semiconductors
(Springer tracts in modern physics : Ergebnisse der exakten Naturwissenschaften / editor, G. Höhler, 167 . Solid-state physics / editors,
Springer, c2000
- : hc
大学図書館所蔵 全22件
  青森
  岩手
  宮城
  秋田
  山形
  福島
  茨城
  栃木
  群馬
  埼玉
  千葉
  東京
  神奈川
  新潟
  富山
  石川
  福井
  山梨
  長野
  岐阜
  静岡
  愛知
  三重
  滋賀
  京都
  大阪
  兵庫
  奈良
  和歌山
  鳥取
  島根
  岡山
  広島
  山口
  徳島
  香川
  愛媛
  高知
  福岡
  佐賀
  長崎
  熊本
  大分
  宮崎
  鹿児島
  沖縄
  韓国
  中国
  タイ
  イギリス
  ドイツ
  スイス
  フランス
  ベルギー
  オランダ
  スウェーデン
  ノルウェー
  アメリカ
注記
"With 57 figures"--T.p.
Includes bibliographical references (p. [87]-95) and index
内容説明・目次
内容説明
The book deals with the physics behind the technological challenge. Three materials from different material classes are considered: hydrogenated amorphous Si (a-Si:H), nanoporous Ti02, and fullerene films. The goal is to clarify the basic transport schemes in these materials, to summarize recent results, illustrate experimental methods, and to develop new ideas for photoelectric applications. The most advanced of the three materials is a-Si:H; its electronic properties have been studied extensively, and it is already used in many device applications. Here it is shown that a small set of parameters is sufficient for an assessment of material quality. Emphasis is also placed on how these parameters can be determined. The other two materials, porous nanocrystalline oxides and the fullerenes, are still at a stage of basic research.
目次
Introduction * Basic concepts of low-mobility transport * Transport in a-Si:H * Transport in porous TiO2 and in TiO2-based devices * Transport in C60 * Conclusions * References.
「Nielsen BookData」 より