マイクロチャンネルエピタキシを用いたSi上無転位GaAsの成長とレーザーの試作

書誌事項

マイクロチャンネルエピタキシを用いたSi上無転位GaAsの成長とレーザーの試作

研究代表者 西永頌

西永頌, 2000.5

タイトル別名

平成10年度〜平成11年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書

文部省科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書

タイトル読み

マイクロ チャンネル エピタキシ オ モチイタ Si ジョウ ムテンイ GaAs ノ セイチョウ ト レーザー ノ シサク

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注記

研究分担者: 田中雅明,成塚重弥,森英史,太刀川正美

詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BA49753823
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    engjpn
  • 出版地
    [東京]
  • ページ数/冊数
    1冊
  • 大きさ
    30cm
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