GaAsを種結晶として用いたバルクGaN単結晶基板の作製

著者

• 長谷川, 文夫 ハセガワ, フミオ

書誌事項

GaAsを種結晶として用いたバルクGaN単結晶基板の作製

（科学研究費補助金基盤研究(B)展開(2)研究成果報告書, 平成9-11年度）

[長谷川文夫], 2001.2

タイトル読み

GaAs オ シュケッショウ トシテ モチイタ バルク GaN タンケッショウ キバン ノ サクセイ

注記

研究代表者: 長谷川文夫

研究課題番号: 09555002

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BA5289101X
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpneng
• 出版地: [つくば]
• ページ数/冊数: 30枚, [99]p
• 大きさ: 30cm
• 親書誌ID:
  • BA52952668