反応性エピタキシャル成長によるCoSi2/Si(100)ヘテロ構造形成の研究

書誌事項

反応性エピタキシャル成長によるCoSi2/Si(100)ヘテロ構造形成の研究

財満鎭明[ほか著]

[出版者不明], 2002.3

タイトル別名

平成11年度〜13年度科学研究費補助金(基盤研究B2)研究成果報告書

タイトル読み

ハンノウセイ エピタキシャル セイチョウ ニヨル CoSi2/Si(100) ヘテロ コウゾウ ケイセイ ノ ケンキュウ

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注記

課題番号:11450010

研究分担者: 安田幸夫, 池田浩也

詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BA58283119
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 出版地
    [出版地不明]
  • ページ数/冊数
    110p
  • 大きさ
    30cm
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