半導体デバイス理論 : 基礎から最新のシミュレーションまで

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半導体デバイス理論 : 基礎から最新のシミュレーションまで

Karl Hess [著] ; 松田和典 [ほか] 訳

丸善, 2002.8

Other Title

Advanced theory of semiconductor devices

Title Transcription

ハンドウタイ デバイス リロン : キソ カラ サイシン ノ シミュレーション マデ

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Note

Advanced theory of semiconductor devices.原著改訂新版の翻訳

その他の訳者: 石橋晃、関俊司、谷村吉隆

Description and Table of Contents

Description

半導体デバイスは現在世界中のいたるところにある。車、台所、電子鍵にも多く見られ、日常生活における存在がその証拠となっている。本書は、基礎量子物理学からコンピュータ支援の設計に至るまで、半導体デバイス理論についての基礎をわかりやすく述べたものである。

Table of Contents

  • 基礎方程式の簡単な復習
  • 結晶格子の対称性
  • 結晶のエネルギーバンド理論
  • 理想的な結晶構造の不完全性
  • 電子と正孔に対する平衡状態の統計
  • 自己無撞着ポテンシャルと半導体の誘電的性質
  • 散乱理論
  • ボルツマン輸送方程式
  • 生成‐再結合
  • ヘテロ接合障壁
  • ショックレーとストラットンのデバイス方程式
  • 数値デバイスシミュレーション
  • ダイオード
  • レーザダイオード
  • トランジスタ
  • 未来の半導体デバイス

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Details

  • NCID
    BA5840916X
  • ISBN
    • 4621070789
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpn
  • Original Language Code
    eng
  • Place of Publication
    東京
  • Pages/Volumes
    xiv, 384p
  • Size
    21cm
  • Classification
  • Subject Headings
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