最新VLSIの基礎
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最新VLSIの基礎
丸善, 2002.9
- タイトル別名
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Fundamentals of modern VLSI devices
タウア・ニン最新VLSIの基礎
- タイトル読み
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サイシン VLSI ノ キソ
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注記
監訳者: 芝原健太郎
その他の訳者: 寺内衛, 寺田和夫, 堀敦, 宮本恭幸
参考文献: p [591] -603
原著の演習問題を除いた翻訳
内容説明・目次
内容説明
本書は、半導体分野での世界的権威、Ｔａｕｒ，Ｎｉｎｇが最新ＶＬＳＩデバイスの基礎についてまとめた名著“Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ ｏｆ Ｍｏｄｅｒｎ ＶＬＳＩ Ｄｅｖｉｃｅｓ”の翻訳。ディープサブミクロンＶＬＳＩデバイスにとって、とくに重要なパラメータや性能要因に重点をおきながら、最新のＣＭＯＳやバイポーラの基礎を解説。事前に必要とされる予備知識は、固体物理と半導体物理の入門的知識のみである。電気・電子工学分野の大学学部高学年から大学院の教科書、技術者・研究者にとっては知識を体系的に再整理する参考書、として最適。最先端デバイスの設計と最適化に必要な基礎〜応用までを展開。
目次
- デバイス物理の基礎
- ＭＯＳＦＥＴデバイス
- ＣＭＯＳデバイス設計
- ＣＭＯＳ性能因子
- バイポーラデバイス
- バイポーラデバイス設計
- バイポーラ性能因子
- ＣＭＯＳプロセスフロー
- 最近のｎｐｎバイポーラトランジスタ製造プロセスの概要
- 実効状態密度
- アインシュタインの関係式
- なだれ降伏の開始条件
- サブスレッショルド状態での短チャネル効果の解析解
- 弱反転での量子学解
- エミッタ抵抗とベース抵抗の決定
- 真性ベース抵抗
「BOOKデータベース」 より