強誘電体メモリーの新展開
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強誘電体メモリーの新展開
シーエムシー出版, 2004.2
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Recent progress in ferroelectric memories
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キョウユウデンタイ メモリー ノ シンテンカイ
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Note
『機能材料』 (2003年8月号) の特集「次世代強誘電体メモリーの動向と展望」 に5編の論文を追加してまとめたもの
Description and Table of Contents
Description
強誘電体メモリーの基礎から最新のトピックスまでを取り上げ、強誘電体メモリーの現状と将来動向を紹介。
Table of Contents
- 強誘電体メモリーの現状と次世代型への期待
- 化学溶液堆積法による強誘電体薄膜の形成
- ＭＯＣＶＤ法による強誘電体薄膜の形成
- 減圧仮焼成法によるＢｉ系強誘電体薄膜の形成
- ＰＺＴ系薄膜新材料の特性
- Ｓｉ添加強誘電体材料の特性
- 強誘電体メモリーの基本動作と信頼性
- 強誘電体メモリーインテグレーション
- 連鎖型強誘電体メモリー（ｃｈａｉｎ ＦｅＲＡＭ）
- 強誘電体ロジック回路
- 韓国における強誘電体メモリーの現状
- 強誘電体メモリーの応用
- 非線形誘電率顕微鏡を用いた超高密度強誘電体記録
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