強誘電体メモリーの新展開

書誌事項

強誘電体メモリーの新展開

石原宏監修

シーエムシー出版, 2004.2

タイトル別名

Recent progress in ferroelectric memories

タイトル読み

キョウユウデンタイ メモリー ノ シンテンカイ

注記

『機能材料』 (2003年8月号) の特集「次世代強誘電体メモリーの動向と展望」 に5編の論文を追加してまとめたもの

内容説明・目次

内容説明

強誘電体メモリーの基礎から最新のトピックスまでを取り上げ、強誘電体メモリーの現状と将来動向を紹介。

目次

  • 強誘電体メモリーの現状と次世代型への期待
  • 化学溶液堆積法による強誘電体薄膜の形成
  • MOCVD法による強誘電体薄膜の形成
  • 減圧仮焼成法によるBi系強誘電体薄膜の形成
  • PZT系薄膜新材料の特性
  • Si添加強誘電体材料の特性
  • 強誘電体メモリーの基本動作と信頼性
  • 強誘電体メモリーインテグレーション
  • 連鎖型強誘電体メモリー(chain FeRAM)
  • 強誘電体ロジック回路
  • 韓国における強誘電体メモリーの現状
  • 強誘電体メモリーの応用
  • 非線形誘電率顕微鏡を用いた超高密度強誘電体記録

「BOOKデータベース」 より

詳細情報
  • NII書誌ID(NCID)
    BA66123763
  • ISBN
    • 4882318199
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 出版地
    東京
  • ページ数/冊数
    iv, 134p
  • 大きさ
    26cm
  • 分類
  • 件名
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