強誘電体メモリーの新展開

Author(s)

• 石原, 宏 イシハラ, ヒロシ

Bibliographic Information

強誘電体メモリーの新展開

石原宏監修

シーエムシー出版, 2004.2

Other Title

Recent progress in ferroelectric memories

Title Transcription

キョウユウデンタイ メモリー ノ シンテンカイ

Note

『機能材料』 (2003年8月号) の特集「次世代強誘電体メモリーの動向と展望」 に5編の論文を追加してまとめたもの

Description and Table of Contents

Description

強誘電体メモリーの基礎から最新のトピックスまでを取り上げ、強誘電体メモリーの現状と将来動向を紹介。

Table of Contents

• 強誘電体メモリーの現状と次世代型への期待
• 化学溶液堆積法による強誘電体薄膜の形成
• ＭＯＣＶＤ法による強誘電体薄膜の形成
• 減圧仮焼成法によるＢｉ系強誘電体薄膜の形成
• ＰＺＴ系薄膜新材料の特性
• Ｓｉ添加強誘電体材料の特性
• 強誘電体メモリーの基本動作と信頼性
• 強誘電体メモリーインテグレーション
• 連鎖型強誘電体メモリー（ｃｈａｉｎ　ＦｅＲＡＭ）
• 強誘電体ロジック回路
• 韓国における強誘電体メモリーの現状
• 強誘電体メモリーの応用
• 非線形誘電率顕微鏡を用いた超高密度強誘電体記録

by "BOOK database"

• NCID: BA66123763
• ISBN:
  • 4882318199
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: jpn
• Place of Publication: 東京
• Pages/Volumes: iv, 134p
• Size: 26cm
• Classification:
  • NDC8 : 548.23
  • NDC9 : 548.232
• Subject Headings:
  • BSH : 半導体記憶装置
  • BSH : 強誘電体