次世代LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成と機能評価
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書誌事項
次世代LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成と機能評価
(科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書, 平成13年度-平成15年度)
[九州大学], 2004.3
- タイトル別名
-
平成13年度-平成15年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書 研究課題番号13450130
- タイトル読み
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ジセダイ LSIヨウ コウユウデンリツ ゲート ゼツエンマク ノ テイオン ケイセイ ト キノウ ヒョウカ
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