Annual report of the semiconductor team in NASDA space utilization research program : effects of microgravity environments on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs) - growth of homogeneous crystals

書誌事項

Annual report of the semiconductor team in NASDA space utilization research program : effects of microgravity environments on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs) - growth of homogeneous crystals

(NASDA technical memorandum, NASDA-TMR-990006E, 000007E, 010016E, 020024E, 030006E)

National Space Development Agency of Japan, 1999-

  • 1998
  • 1999
  • 2000
  • 2001
  • 2002

この図書・雑誌をさがす
注記

Space Utilization Research Program

関連文献: 1件中  1-1を表示
詳細情報
  • NII書誌ID(NCID)
    BA68777603
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    eng
  • 本文言語コード
    eng
  • 出版地
    Tokyo
  • ページ数/冊数
    v.
  • 大きさ
    30 cm
  • 親書誌ID
ページトップへ