シングルイベント耐性を向上したパワーMOSFETの開発検討

書誌事項

シングルイベント耐性を向上したパワーMOSFETの開発検討

宇宙開発事業団編

(宇宙開発事業団契約報告, NASDA-CNT 010028)

宇宙開発事業団, 2001.12

タイトル別名

A study of space use power MOSFETs with high Single-Event-Burnout (SEB) hardness

タイトル読み

シングル イベント タイセイ オ コウジョウ シタ パワー MOSFET ノ カイハツ ケントウ

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作成元: 富士電機

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詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BA68888863
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 出版地
    東京
  • ページ数/冊数
    43p
  • 大きさ
    30cm
  • 親書誌ID
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