次世代極薄高誘電率ゲート絶縁膜中の不純物の挙動に関する理論的研究

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次世代極薄高誘電率ゲート絶縁膜中の不純物の挙動に関する理論的研究

白石賢二研究代表

（科学研究費補助金(基盤研究C)研究成果報告書, 平成16年度-17年度）

[白石賢二], 2006.5

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ジセダイ ゴクハク コウユウデンリツ ゲート ゼツエンマクチュウ ノ フジュンブツ ノ キョドウ ニ カンスル リロンテキ ケンキュウ

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研究課題番号: 16560020

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Details

  • NCID
    BA77659812
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpneng
  • Place of Publication
    [つくば]
  • Pages/Volumes
    1冊
  • Size
    30cm
  • Parent Bibliography ID
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