はじめての半導体シリコン

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はじめての半導体シリコン

福田哲生著

(ビギナーズブックス, 42)

工業調査会, 2006.9

Title Transcription

ハジメテ ノ ハンドウタイ シリコン

Available at  / 64 libraries

Note

参考文献: 各章末

Description and Table of Contents

Description

エンジニアがあらたに生じる問題に切り込むためには、「なぜそうなるのか」までを含め、現象をできるだけ単純なモデルで理解しておく必要がある。本書では、模式図を豊富に用いて、シリコン結晶やウェーハに関する一般的な基礎をできるだけわかりやすく記述した。

Table of Contents

  • 第1章 シリコンとデバイスの概論(シリコン結晶およびウェーハ概論;デバイス概論)
  • 第2章 ウェーハの結晶欠陥とデバイス(結晶欠陥とリーク電流;結晶欠陥の形成 ほか)
  • 第3章 ウェーハの機械的性質とプロセス(転位、不純物と機械的性質;ウェーハに生じる熱応力と強度 ほか)
  • 第4章 ウェーハのトポグラフィとプロセス、デバイス(ナノトポグラフィ;平坦度 ほか)
  • 第5章 今後のウェーハ動向((110)ウェーハ;次世代大口径ウェーハ ほか)

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Details

  • NCID
    BA78473139
  • ISBN
    • 4769312547
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpn
  • Place of Publication
    東京
  • Pages/Volumes
    203p
  • Size
    21cm
  • Classification
  • Subject Headings
  • Parent Bibliography ID
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