不揮発性メモリの実現に向けた高誘電率キャパシタ材料の低温形成
Author(s)
Bibliographic Information
不揮発性メモリの実現に向けた高誘電率キャパシタ材料の低温形成
[光田好孝], 2006.3
- Other Title
-
平成13年度〜平成15年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2)(展開))研究成果報告書
科学研究費補助金(基盤研究(B)(2)(展開))研究成果報告書
- Title Transcription
-
フキハツセイ メモリ ノ ジツゲン ニ ムケタ コウユウデンリツ キャパシタ ザイリョウ ノ テイオン ケイセイ
Available at 2 libraries
  Aomori
  Iwate
  Miyagi
  Akita
  Yamagata
  Fukushima
  Ibaraki
  Tochigi
  Gunma
  Saitama
  Chiba
  Tokyo
  Kanagawa
  Niigata
  Toyama
  Ishikawa
  Fukui
  Yamanashi
  Nagano
  Gifu
  Shizuoka
  Aichi
  Mie
  Shiga
  Kyoto
  Osaka
  Hyogo
  Nara
  Wakayama
  Tottori
  Shimane
  Okayama
  Hiroshima
  Yamaguchi
  Tokushima
  Kagawa
  Ehime
  Kochi
  Fukuoka
  Saga
  Nagasaki
  Kumamoto
  Oita
  Miyazaki
  Kagoshima
  Okinawa
  Korea
  China
  Thailand
  United Kingdom
  Germany
  Switzerland
  France
  Belgium
  Netherlands
  Sweden
  Norway
  United States of America
-
Institute of Industrial Science Library, the University of Tokyo図書
X-08.IIS:科研2003:03-5236711254265
Search this Book/Journal
Note
課題番号: 13455194
研究分担者: 小田克郎